Browsing "Журнал нано- та електронної фізики (Journal of nano- and electronic physics)" by Issue Year 

Jump to a point in the index:
Showing results 41 to 60 of 1663
Issue YearTitleAuthor(s)TypeViewsDownloads
2017Переходные процессы в микроэлектронных композициях Ag-Ge-In/n-GaAsДмитриев, В.С.; Дмитриева, Л.Б.Article93
2017Фотолюмінісцентні властивості PECVD плівок на основі Si, C, NПорада, О.К.; Манжара, В.С.; Козак, А.О.; Іващенко, В.І.; Іващенко, Л.A.Article53
2017Role of the Temperature Dependence of Elastic Modulus in the Basic Characteristics of Giant Magnetically Induced Deformation of Ferromagnetic MartensiteKosogor, A.Article68
2017Магнітоопір модифікованих вуглецевих нанотрубокЛень, Т.А.; Овсієнко, І.В.; Мацуй, Л.Ю.; Беркутов, І.Б.; Мірзоєв, І.Г.; Гніда, Д.; Куницький, Ю.А.Article41
2017Отримання аморфно-нанокристалічних сплавів частковою кристалізацією металевих стеколЛисов, В.І.; Цареградська, Т.Л.; Турков, О.В.; Саєнко, Г.В.Article66
2017Отримання блокових наноструктур на поверхні фосфіду індіюСичікова, Я.О.Article43
2017Effect of Sprayed Solution Volume on Structural and Optical Properties of Nickel Oxide Thin FilmsBenhamida, S.; Benhaoua, B.; Barir, R.; Rahal, A.; Benhaoua, A.Article72
2017Some Aspect of Modern Nanotechnology and Lazer Radiation in Cancer TreamentKhvedelidze, L.Article73
2017Research of the Vacancy Migration Process on the Surface of BC NanolayerBoroznin, S.V.; Zaporotskova, I.V.; Boroznina, N.P.Article231
2017Design Device for Subthreshold Slope in DG Fully Depleted SOI MOSFENeha, Goel; Manoj, Kumar PandeyArticle243
2017Вплив параметрів магнітного та немагнітного шарів на процеси дисипації у багатошарових наноструктурах з антиферомагнітним компонентомПолек, Т.І.; Яремкевич, Д.Д.; Козак, І.М.; Кравець, А.Ф.Article287
2017Hydroxyl Properties of Hydrogenated Germanosilicate Optical Fiber Due to Thermal Treatment and Ultraviolet IrradiationKuswanto, H.; Hermanto, A.; Goutaland, F.; Boukenter, A.; Ouerdane, Y.Article52
2017Two Dimensional Modeling of III-V Heterojunction Gate All Around Tunnel Field Effect TransistorVijh, M.; Gupta, R.S.; Pandey, S.Article87
2017Тонкие пленки аморфных молекулярных полупроводников для создания поверхностных темплатов упорядоченных структурБарабаш, М.Ю.; Мартынчук, В.Е.; Литвин, Р.В.Article102
2017Структурні та оптичні властивості плівок Cu2ZnSnS4, отриманих методом пульсуючого спрей-піролізуDobrozhan, Oleksandr Anatoliiovych; Loboda, Valerii Borysovych; Znamenshchykov, Yaroslav Volodymyrovych; Opanasiuk, Anatolii Serhiiovych; Чеонг, Х.Article85
2017Поверхневі плазмони у вуглецевих нанотрубках еліптичного перерізуКоротун, А.В.; Тітов, І.М.; Коваль, А.О.Article35
2017Температурна залежність спектрів ЯКР і параметрів кристалічної гратки InSeЛастівка, Г.І.; Саміла, А.П.; Раранський, М.Д.; Ковалюк, З.Д.; Балазюк, В.Н.; Хандожко, В.О.Article81
2017Structure and Physics Mechanical Properties of Multiperiod Vacuum-arc Coatings on the Basis of Two-layer System TiN[x]/ZrN[x]Sobol, O.V.; Andreev, A.A.; Bochulia, T.V.; Stolbovoy, V.A; Gorban, V.F.; Yanchev, A.V.; Meylekhov, A.A.Article126
2017Про критичний розмір переходу феромагнетика в однодоменний станТихоненко-Поліщук, Ю.О.; Товстолиткін, О.І.Article62
2017Структура и механические свойства гафния легированного оксидом иттрияЧорнобук, С.В.; Чередник, М.И.; Попов, А.Ю.Article41