Врахування ефектів анізотропії в орієнтації дископодібних кластерів при розрахунку кристалографічних параметрів

Яремій, І.П.; Томин, У.О.; Уманців, М.М.

Please use this identifier to cite or link to this item: http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/40723

Or use following links to share this resource in social networks: Recommend this item

Title	Врахування ефектів анізотропії в орієнтації дископодібних кластерів при розрахунку кристалографічних параметрів
Authors	Яремій, І.П. Томин, У.О. Уманців, М.М.
ORCID
Keywords	напівпровідниковий матеріал полупроводниковый материал semiconductor material дископодібний кластер дискообразный кластер disc-shaped cluster анізотропія анизотропия anisotropy
Type	Conference Papers
Date of Issue	2015
URI	http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/40723
Publisher	Сумський державний університет
License
Citation	Яремій, І.П. Врахування ефектів анізотропії в орієнтації дископодібних кластерів при розрахунку кристалографічних параметрів [Текст] / І.П. Яремій, У.О. Томин, М.М. Уманців // Фізика, електроніка, електротехніка: матеріали та програма науково-технічної конференції, м. Суми, 20-25 квітня 2015 р. / Відп. за вип. С.І. Проценко. — Суми: СумДУ, 2015. — С. 69.
Abstract	Для використання напівпровідникового матеріалу в електроніці важливо володіти знаннями про його дефектну структуру. Наявність дефектів (як ростових, так і цілеспрямовано наведених) впливає на фізичні властивості матеріалу, що, в свою чергу, визначатиме особливості роботи напівпровідникового елементу. У випадку сферично несиметричних дефектів (дислокаційні петлі, дископодібні кластери) важливо знати не тільки концентрацію та розміри дефектів, а й їх просторову орієнтацію.
Appears in Collections:	Наукові видання (ЕлІТ)