Please use this identifier to cite or link to this item: http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/45505
Or use following links to share this resource in social networks: Recommend this item
Title Структурная инженерия вакуумно-плазменных покрытий фаз внедрения
Other Titles Структурна інженерія вакуумно-плазмових покриттів фаз проникнення
Structural Engineering Vacuum-plasma Coatings Interstitial Phases
Authors Соболь, О.В.
ORCID
Keywords Структурная инженерия
Вакуумно-плазменные покрытия
Фазы внедрения
Метастабильность
Диффузия
Структурные превращения
Сдвиговый механизм
Напряжения
Структурна інженерія
Вакуумно-плазмові покриття
Фази проникнення
Метастабільність
Дифузія
Структурні перетворення
Зсувний механізм
Напруження
Structural engineering
Vacuum plasma coating
Interstitial phases
Metastable
Diffusion
Structural transformation
Shift mechanism
Stresses
Type Article
Date of Issue 2016
URI http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/45505
Publisher Сумский государственный университет
License
Citation О.В. Соболь, Ж. нано- электрон. физ. 8 № 2, 02024 (2016)
Abstract В работе проведен анализ возможных структурных состояний определяемых неравновесностью процессов при вакуумно-плазменных методах получения покрытий фаз внедрения. Показано, что неравновесные условия осаждения из ионно-плазменных потоков значительно расширяют спектр возможных структурных состояний формируемого материала: от аморфоподобного до высокоупорядоченного кристаллического. Высокая скорость термализации определяет формирование фаз с кубической кристаллической решеткой (в большинстве случаев структурного типа NaCl). На примерах W-C и Ta-N систем с гексагональным типом решетки в равновесном состоянии показаны условия и механизм перехода из метастабильного состояния с кубической решеткой в равновесное с гексагональной кристаллической решеткой. Переход осуществляется путем диффузионно-сдвигового превращения с образованием дефектов упаковки в чередовании наиболее плотноупакованных плоскостей вдоль оси [111]. Образованию дефектов упаковки способствует малая область сдвига в нанокристаллических материалах и наличие вакансий, а само превращение сдвигом (через образование дефектов упаковки) сопровождается резкой релаксацией структурных напряжений. Исходя из критерия атомной подвижности обсуждены механизмы структурных преобразова-ний в вакуумно-плазменных покрытиях и необходимые физико-технологические условия для направленных структурных изменений на стадии осаждения и высокотемпературного отжига.
В роботі проведено аналіз можливих структурних станів визначаються неравновесностью процесів при вакуумно-плазмових методах отримання покриттів фаз проникнення. Показано, що нерівноважні умови осадження з іонно-плазмових потоків значно розширює спектр можливих структурних станів формованого матеріалу: від аморфоподібного до високо впорядкованого кристалічного. Висока швидкість термализации визначає формування фаз з кубічної кристалічної гратами (в більшості випадків структурного типу NaCl). На прикладах W-C і Ta-N систем з гексагональних типом решітки в рівноважному стані показані умови і механізм переходу з метастабільного стану з кубічною решіткою в рівноважний з гексагональної кристалічною решіткою. Перехід здійснюється шляхом дифузійно-зсувного перетворення з утворенням дефектів пакування в чергуванні найбільш щільноупакованих площин уздовж осі [111]. Утворенню дефектів пакування сприяє мала область зсуву в нанокристалічних матеріалах і наявність вакансій, а саме перетворення зрушенням (через утворення дефектів пакування) супроводжується різкою релаксацією структурних напружень. Виходячи з критерію атомної рухливості обговорено механізми структурних перетворень в вакуумно-плазмових покриттях і необхідні фізико-технологічні умови для спрямованих структурних змін на стадії осадження і високотемпературного відпалу.
The analysis of possible structural conditions defined nonequilibrium processes in vacuum-plasma methods of obtaining interstitial phase coatings. It is shown that nonequilibrium conditions the deposition of ion-plasma flows significantly expands the range of possible structural states formed material from amorphous like to highly ordered crystalline. High speed determines the thermalization phase forming cubic crystal lattice (in most cases the structural type NaCl). On examples of W-C and Ta-N system with a hexagonal lattice type in equilibrium conditions and shows the mechanism of the transition from a metastable state with a cubic lattice in equilibrium with a hexagonal crystal lattice. The transition is performed by diffusion-shear transformation with the formation of stacking faults in the alternation of the most densely packed planes along the [111] axis. The formation of stacking faults contribute to a small area of the shift in nanocrystalline materials and the availability of jobs, and shift the conversion itself (through the formation of stacking faults) is accompanied by a sudden relaxation of the structural stresses. Based on the atomic mobility criterion discussed mechanisms of structural transformations in the vacuum-plasma coatings and the necessary physical and technological conditions for structural changes aimed at the stage of precipitation and high temperature annealing.
Appears in Collections: Журнал нано- та електронної фізики (Journal of nano- and electronic physics)

Views

Canada Canada
1
China China
262
France France
2
Germany Germany
58550
Ireland Ireland
29275
Italy Italy
1
Lithuania Lithuania
1
Malaysia Malaysia
1
Peru Peru
1
Russia Russia
1
Turkey Turkey
1
Ukraine Ukraine
1188932
United Kingdom United Kingdom
210626
United States United States
3865519
Unknown Country Unknown Country
415829
Uzbekistan Uzbekistan
1

Downloads

Argentina Argentina
1
China China
1
Germany Germany
8132
Japan Japan
1
Lithuania Lithuania
1
Philippines Philippines
1
Portugal Portugal
1
Russia Russia
2
Ukraine Ukraine
1188932
United Kingdom United Kingdom
1
United States United States
5769004
Unknown Country Unknown Country
11
Uzbekistan Uzbekistan
3
Venezuela Venezuela
1

Files

File Size Format Downloads
Sobol.pdf 551,08 kB Adobe PDF 6966092

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.