Please use this identifier to cite or link to this item: http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/45576
Or use following links to share this resource in social networks: Recommend this item
Title Вплив технологічних факторів отримання на морфологію поверхні та електричні властивості плівок PbTe легованих Bi
Other Titles The Influence of the Technological Factors of Obtaining on the Surface Morphologyand Electrical Properties of the PbTe Films doped Bi
Влияние технологических факторов получения на морфологию поверхностии электрические свойства пленок PbTe легированных Bi
Authors Салій, Я.П.
Дзундза, Б.С.
Биліна, І.С.
Костюк, О.Б.
ORCID
Keywords Телурид свинцю
Легування
Тонкі плівки
Розсіювання
Поверхня
Теллурид свинца
Легирование
Тонкие пленки
Рассеивание
Поверхность
Lead telluride
Doping
Thin films
Scattering
Surface
Type Article
Date of Issue 2016
URI http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/45576
Publisher Сумський державний університет
License
Citation Я.П. Салій, Б.С. Дзундза, І.С. Биліна, О.Б. Костюк, Ж. нано- електрон. фіз. 8 № 2, 02045 (2016)
Abstract Досліджено вплив технологічних факторів отримання: часу та температур випарника та підкладки на морфологію поверхні та електричні властивості осаджених з пари у вакуумі на підкладки з ситалу плівок PbTe легованого Bi. Використано атомно-силову мікроскопію, методи обробки зображення та холлівські дослідження. Проаналізовано вплив параметрів форми поверхневих кристалітів на рухливість вільних носіїв заряду.
Исследовано влияние технологических факторов получения: времени и температур испарителя и подложки на морфологию поверхности и электрические свойства осажденных из пары в вакууме на подложки из ситалла пленок PbTe легированного Bi. Использованы атомно-силовая микроскопия, методы обработки изображения и холловские исследования. Проанализировано влияние параметров формы поверхностных кристаллитов на подвижность свободных носителей заряда.
The influence of technological factors obtaining: time and temperature of the evaporator and the substrate on the surface morphology and electrical properties of the deposited from the vapor in a vacuum on a substrate of sital films PbTe doped Bi is researched. The atomic force microscopy, image processing methods and Hall research are used. The influence of the shape parameters of surface crystallites on the mobility of free charge carriers is analyzed.
Appears in Collections: Журнал нано- та електронної фізики (Journal of nano- and electronic physics)

Views

Albania Albania
1
Canada Canada
1
China China
1
France France
4
Germany Germany
3
Ireland Ireland
3401
Italy Italy
2
Lithuania Lithuania
1
Russia Russia
4
Thailand Thailand
1
Ukraine Ukraine
32142
United Kingdom United Kingdom
16689
United States United States
116262
Unknown Country Unknown Country
8

Downloads

China China
11744
Egypt Egypt
2
France France
1
Germany Germany
3
India India
1
Ireland Ireland
1
Lithuania Lithuania
1
Russia Russia
1
Ukraine Ukraine
64003
United Kingdom United Kingdom
1
United States United States
168521
Unknown Country Unknown Country
7

Files

File Size Format Downloads
Salij.pdf 801,24 kB Adobe PDF 244286

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.