Міграція включень в кристалах Сd(Mn)Te

Опанасюк, Анатолій Сергійович; Солодін, С.В.; Копач, О.В.; Фочук, П.М.

Please use this identifier to cite or link to this item: http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/45940

Or use following links to share this resource in social networks: Recommend this item

Title	Міграція включень в кристалах Сd(Mn)Te
Authors	Opanasiuk, Anatolii Serhiiovych Солодін, С.В. Копач, О.В. Фочук, П.М.
ORCID	http://orcid.org/0000-0002-1888-3935
Keywords	кристали кристаллы crystals
Type	Conference Papers
Date of Issue	2016
URI	http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/45940
Publisher	Сумський державний університет
License
Citation	Міграція включень в кристалах Сd(Mn)Te [Текст] / С.В. Солодін, О.В. Копач, А.С. Опанасюк, П.М. Фочук // Фізика, електроніка, електротехніка: матеріали та програма науково-технічної конференції, м. Суми, 18-22 квітня 2016 р. / Відп. за вип. С.І. Проценко. - Суми: СумДУ, 2016. - С. 135.
Abstract	Останніми роками з’явився ряд публікацій, в яких кристали Cd(Mn)Te позиціонуються як можлива альтернатива кристалам Cd(Zn)Te, що знайшли широке застосування як детектори іонізуючого випромінювання, оскільки вони мають ряд переваг. Основна з них – більш однорідний розподіл мангану по кристалу, оскільки коефіцієнт сегрегації Mn в CdTe близький до 1. Це дозволяє підвищити вихід матеріалу з потрібними і відтворюваними електричними характеристиками.
Appears in Collections:	Наукові видання (ЕлІТ)