Влияние методов определения параметров барьерного перехода на их точность

Abstract

Точность основных качественных показателей барьерных переходов (высота барьера 𝝋b и фактор неидеальности η), зависит от точности измерения тока и напряжения и от метода их определения. Рассмотрены и апробированы методы определения высоты барьера Шоттки по вольт-амперным характеристикам на примере барьерных переходов Ag/n - n+GaAs, изготовленных при разных режимах термообработки. Установлено, что наиболее простым в реализации является метод расчета параметров вольт-амперных характеристик по методу Rhoderick, однако он не учитывает последовательное сопротивление, из-за чего могут возникать дополнительные ошибки при определении участка вольтамперной характеристики, где этим влиянием пренебрегают. Установлено, что наиболее точным методом является метод direct approximation, учитывающий влияние последовательного сопротивления при расчете фактора неидеальности и высоты барьера Шоттки.

Точність основних якісних показників бар'єрних переходів (висота бар'єру 𝝋b і фактор неідеальності η), залежить від точності вимірювання струму та напруги та від методу їх визначення. Розглянуто і апробовано методи визначення висоти бар'єру Шотткі за вольт-амперними характеристиками на прикладі бар'єрних переходів Ag/n - n+GaAs, виготовлених при різних режимах термообробки. Встановлено, що найбільш простим в реалізації є метод розрахунку параметрів вольт-амперної характеристики за методом Rhoderick E.H., проте він не враховує послідовний опір, через що можуть виникати додаткові помилки при визначенні ділянки вольт-амперної характеристики, де цим впливом нехтують. Встановлено, що найбільш точним методом є метод direct approximation, який враховує вплив послідовного опору при розрахунку фактора неідеальності та висоти бар'єру Шотткі.

Точність основних якісних показників бар'єрних переходів (висота бар'єру 𝝋b і фактор неідеальності η), залежить від точності вимірювання струму та напруги та від методу їх визначення. Розглянуто і апробовано методи визначення висоти бар'єру Шотткі за вольт-амперними характеристиками на прикладі бар'єрних переходів Ag/n - n+GaAs, виготовлених при різних режимах термообробки. Встановлено, що найбільш простим в реалізації є метод розрахунку параметрів вольт-амперної характеристики за методом Rhoderick E.H., проте він не враховує послідовний опір, через що можуть виникати додаткові помилки при визначенні ділянки вольт-амперної характеристики, де цим впливом нехтують. Встановлено, що найбільш точним методом є метод direct approximation, який враховує вплив послідовного опору при розрахунку фактора неідеальності та висоти бар'єру Шотткі.