Технологічні домішки в монокристалах PBI2 та способи їх видалення

Фурс, Т.В.

Please use this identifier to cite or link to this item: http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/66565

Or use following links to share this resource in social networks: Recommend this item

Title	Технологічні домішки в монокристалах PBI2 та способи їх видалення
Authors	Фурс, Т.В.
ORCID
Keywords	напівпровідникові кристали полупроводниковые кристаллы semiconductor crystals зонна плавка зонная плавка zone melting домішки примеси impurities
Type	Conference Papers
Date of Issue	2017
URI	http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/66565
Publisher	Сумський державний університет
License
Citation	Фурс, Т.В. Технологічні домішки в монокристалах PBI2 та способи їх видалення [Текст] / Т.В. Фурс // Системи розроблення та постановлення продукції на виробництво. Індустрія 4.0. Сучасний напрямок автоматизації та обміну даними у виробничих технологіях: матеріали II Міжнародної науково-практичної конференції м. Суми, 22-26 травня 2017 р. / Ред.кол.: О.Г. Гусак, К.О. Дядюра. – Суми: СумДУ, 2017. – С. 110-113.
Abstract	В природі відсутні абсолютно чисті матеріали. Не винятком є і напівпровідникові кристали, які у своєму складі завжди містять певну кількість домішок, набутих у процесі одержання матеріалу. Ці домішкові елементи часто називають забруднюючими і неконтрольованими, оскільки наперед спрогнозувати їх кількість, а відповідно і вплив на структуру і властивості буває досить складно.
Appears in Collections:	Наукові видання (ТеСЕТ)