Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item:http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/67450
Title: Электрические свойства тонких плѐнок Cu2ZnSnSe4 и Cu2ZnSnSe2Te2(S2), полученных методом термовакуумного напыления
Other Titles: Електричні властивості тонких плівок Cu2ZnSnSe4 і Cu2ZnSnSe2Te2 (S2) отриманих методом термовакуумного напилення
Electric Properties of Thin Films Cu2ZnSnSe4 and Cu2ZnSnSe2Te2 (S2) Obtained by Thermal Vacuum Deposition
Authors: Козярский, И.П.
Майструк, Э.В.
Козярский, Д.П.
Марьянчук, П.Д.
Keywords: тонкие пленки
CZTS
удельное сопротивление
термовакуумное напыление
тонкі плівки
CZTS
питомий опір
термовакуумне напилення
thin films
CZTS
resistivity
thermal vacuum deposition
Issue Year: 2018
Publisher: Сумской государственный университет
Citation: Электрические свойства тонких плѐнок Cu2ZnSnSe4 и Cu2ZnSnSe2Te2(S2), полученных методом термовакуумного напыления [Текст] / И.П. Козярский, Э.В. Майструк, Д.П. Козярский [та ін.] // Журнал нано- та електронної фізики. – 2018. – Т.10, № 1. – 01028. - DOI: 10.21272/jnep.10(1).01028
Abstract: Представлены технологические особенности синтеза и выращивания объемных кристаллов Cu2ZnSnSe4, Cu2ZnSnSe2S2 и Cu2ZnSnSe2Te2. Получены поликристаллические слитки длиной до 50 мм и диаметром до 10 мм. Методом термовакуумного напыления напылены тонкие пленки Cu2ZnSnSe4, Cu2ZnSnSe2S2, Cu2ZnSnSe2Te2. С помощью четырехзондового метода определены значения удельного сопротивление полученных пленок.
Представлено технологічні особливості синтезу і вирощування об’ємних кристалів Cu2ZnSnSe4, Cu2ZnSnSe2S2 і Cu2ZnSnSe2Te2. Отримано полікристалічні злитки довжиною до 50 мм та діаметром до 10 мм. Методом термовакуумного напилення отримано тонкі плівки Cu2ZnSnSe4, Cu2ZnSnSe2S2 і Cu2ZnSnSe2Te2. Чотиризондовим методом визначено значення питомого опору отриманих плівок.
The technological features of synthesizing and growing bulk crystals Cu2ZnSnSe4, Cu2ZnSnSe2S2 and Cu2ZnSnSe2Te2. Obtained polycrystalline ingot to 50 mm long and 10 mm in diameter. Sputtering of thin films Cu2ZnSnSe4, Cu2ZnSnSe2S2, Cu2ZnSnSe2Te2 carried out in the vacuum system UVN - 70 by thermal vacuum deposition. Investigation of the electrical properties of thin films CZTS performed by resistivity measurement. The resistivity of the films was measured by four-probe method.
URI: http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/67450
Type: Article
Appears in Collections:Журнал нано- та електронної фізики (Journal of nano- and electronic physics)

Views
France3
United States1
Downloads
No available statistics


Files in This Item:
File Description SizeFormatDownloads 
Koziarskyi_jnep_V10_01028.pdf218.79 kBAdobe PDF0Download
Show full item record Recommend this item


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.