Showing results 1 to 5 of 5
Issue Year | Title | Author(s) | Type | Views | Downloads |
---|---|---|---|---|---|
2013 | Вплив протонів низьких енергій на параметри гетероструктури GaSe-InSe | Сидор, О.М.; Сидор, О.А.; Ковалюк, З.Д.; Дубінко, В.І. | Conference Papers | 19995727 | 18030752 |
2015 | Гомоперехід n-InSe–p-InSe : Cd з ефективністю 2,8 % | Сидор, О.М. | Conference Papers | 26361146 | 36956761 |
2017 | Спосіб отримання тонкоплівкових гетероперехідних (гп) структур n-SnS2/p-SnS методом лазерного опромінення вихідного матеріалу SnS2 | Возний, Андрій Андрійович; Voznyi, Andrii Andriiovych; Kosiak, Volodymyr Volodymyrovych; Opanasiuk, Anatolii Serhiiovych | Patent | 116726632 | 43174163 |
2016 | Фотоелектричні властивості гетероструктури p-GaTe - n-InSe | Кушнір, Б.В. | Conference Papers | 45923507 | 27632580 |
2018 | Фотоефект у приладовій структурі на основі гетеропереходу SnS/CdS | Opanasiuk, Anatolii Serhiiovych; Возний, Андрій Андрійович; Voznyi, Andrii Andriiovych; Yeromenko, Yurii Serhiiovych; Подопригора, О.О.; Фролов, А.І. | Conference Papers | 2987224 | 862238 |