English українська
  1. SumDU Repository

Browsing by Keywords вольт-амперна характеристика


Showing results 1 to 20 of 21
Issue Year Title Author(s) Type Views Downloads
2019 Computer Simulation of the Electrotransport Characteristics of the "Au – Bipyridine – Au" Nanocontact Sergeyev, D. Article 951722226 674033367
2024 Effect of Introduction Layers of Native Oxide, InN, and InSb on the Electrical Characterization of the Au/n-InP Sadoun, A. Article 141 468
2019 Features of the Electrical Characteristics of an Octagraphene Nanotube Sergeyev, D. Article 1534967 1776634
2023 Thermoelectric Generators Current Intensifiers Kindrachuk, M.V.; Volchenko, D.O.; Zhuravlev, D.Yu.; Ostashuk, M.M.; Kachmar, R.Ya. Article 4618 2939
2017 Вплив температури і магнітного поля на вольт-амперні характеристики магніторезисторів Tkach, Olena Petrivna; Odnodvorets, Kateryna Serhiivna Conference Papers -196950937 -202251580
2020 Дослідження вольт-амперної характеристики p-n-переходу засобами моделювання в labview Суровицький, М.Ю. Bachelous Paper 765950201 -580125618
2017 Електричні властивості матеріалів плівкових омічних контактів на основі Fe, Cu, Cr і Ge Vlasenko, Oleksandr Volodymyrovych; Zakharchenko, Nadiia Mykolaivna; Odnodvorets, Larysa Valentynivna Conference Papers 61639208 57343408
2019 Електронні індикатори: фізичні принципи функціонування та робочі характеристики Гончаренко, О.М. Bachelous Paper 8 1
2018 Електронні діодні схеми для випрямлення та стабілізації сигналів Лохоня, К.О. Bachelous Paper 3 0
2012 Електрофізичні властивості та структура тонких плівок стеарату натрію (С17Н35СООNa) Гуцул, О.В.; Шаплавський, М.В.; Слободян, В.З. Article 1491148535 741906868
2021 Напівпровідникові діоди в інтегрованій мікроелектроніці: основи роботи та конструктивно-технологічні параметри Костян, М.О. Bachelous Paper 2368010 12515029
2019 Оптоелектронні компоненти систем візуалізації та відображення інформації Однодворець, К.С. Bachelous Paper 5 1
2015 Особливості впливу X-випромінювання та магнітного поля на електрофізичні характеристики бар’єрних структур на основі дислокаційного p-Si, призначеного для сонячної енергетики Слободзян, Д.П.; Павлик, Б.В.; Кушлик, М.О. Article 810012637 -490242359
2022 Приладово-технологічне моделювання FET’s транзисторів на основі нанострічок Сидоренко, Р.Г. Bachelous Paper 30212 62793
2020 Світловипромінювальні діоди як елементи оптоелектронних систем Скубак, Р.М. Bachelous Paper 1927893833 744528876
2018 Температурна залежність робочих характеристик біполярних транзисторних структур Сніжко, В.В. Masters thesis 6 1
2019 Фізико-теоретичні і технологічні принципи функціонування діодів Шотткі як елементів електронних систем Босенко, В.С. Masters thesis 4 1
2022 Фізико-технічні основи функціонування світлодіодних електронних систем Панченко, Д.М. Masters thesis 126342 190262
2019 Фізичні і технічні характеристики напівпровідникових діодів різних типономіналів Тарасенко, Д.Ю. Bachelous Paper 3 0
2018 Інжекційна спектроскопія локалізованих станів у плівках напівізолюючих cполук А2В6 Opanasiuk, Anatolii Serhiiovych; Tyrkusova, Nadiia Volodymyrivna; Kolesnyk, Maksym Mykolaiovych; Kosiak, Volodymyr Volodymyrovych; Kurbatov, Denys Ihorovych; Dobrozhan, Oleksandr Anatoliiovych Monograph 2127270 4779982