Please use this identifier to cite or link to this item:
http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/23777
Or use following links to share this resource in social networks:
Tweet
Recommend this item
Title | Управління параметрами GaAs:Si-p-n-структур при гіратронному опромінюванні |
Authors |
Сукач, Г.О.
Кідалов, В.В. |
ORCID | |
Keywords |
гіратронне опромінювання світловипромінюючі структури домішки управління станом p-n-переходу термо-пружні напруги |
Type | Article |
Date of Issue | 2011 |
URI | http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/23777 |
Publisher | Видавництво СумДУ |
License | |
Citation | Г.О. Сукач, В.В. Кідалов, Ж. нано- електрон. фіз. 3 №4, 138 (2011) |
Abstract |
Показано, що за допомогою гіратронного опромінення можливо управлінням становищем р-п переходу у вже виготовленій світловипромінюючій структурі. Зрушення компенсованої області випромінюючої структури на основі GaAs:Si, обумовлене рухом домішок у полі термопружних напруг, що з'являються в процесі охолодження зразків після гіратронного опромінення.
При цитуванні документа, використовуйте посилання http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/23777 |
Appears in Collections: |
Журнал нано- та електронної фізики (Journal of nano- and electronic physics) |
Views
Brazil
1
China
12818
Czechia
1
Germany
140
Greece
1
Iran
1
Ireland
153767
Lithuania
1
Mongolia
1
Netherlands
5
Russia
18
Turkey
5
Ukraine
1001612
United Kingdom
525368
United States
8393585
Unknown Country
1001611
Downloads
China
5698234
Germany
141
Lithuania
1
Ukraine
3002883
United Kingdom
1
United States
8393584
Unknown Country
142
Files
File | Size | Format | Downloads |
---|---|---|---|
jnep_2011_V3_N4_138-149.pdf | 370.9 kB | Adobe PDF | 17094986 |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.