Врахування просторової неоднорідності напівпровідника при визначенні параметрів локалізованих станів

Please use this identifier to cite or link to this item: http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/23860

Or use following links to share this resource in social networks: Recommend this item

Title	Врахування просторової неоднорідності напівпровідника при визначенні параметрів локалізованих станів
Authors	Kolesnyk, Maksym Mykolaiovych Opanasiuk, Anatolii Serhiiovych
ORCID	http://orcid.org/0000-0003-2019-8387 http://orcid.org/0000-0002-1888-3935
Keywords	напівпровідники полупроводники semiconductors
Type	Conference Papers
Date of Issue	2004
URI	http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/23860
Publisher	Вид-во СумДУ
License	Copyright not evaluated
Citation	Колесник, М.М. Врахування просторової неоднорідності напівпровідника при визначенні параметрів локалізованих станів [Текст] / М.М. Колесник, А.С. Опанасюк // Науково-технічна конференція викладачів, співробітників і студентів механіко-математичного факультету, 14-29 квітня : програма і тези доповідей. — Суми : СумДУ, 2004. — С. 128-131.
Abstract
Appears in Collections:	Наукові видання (ЕлІТ)