Please use this identifier to cite or link to this item:
http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/2640
Or use following links to share this resource in social networks:
Tweet
Recommend this item
Title | Тонкоплівкові гетеропереходи ZnTe/CdTe |
Other Titles |
ZnTe/CdTe thin-film heterojunctions |
Authors |
Kolesnyk, Maksym Mykolaiovych
![]() Opanasiuk, Anatolii Serhiiovych ![]() Tyrkusova, Nadiia Volodymyrivna ![]() Danylchenko, Serhii Mykolaiovych |
ORCID |
http://orcid.org/0000-0003-2019-8387 http://orcid.org/0000-0002-1888-3935 http://orcid.org/0000-0002-3248-0067 |
Keywords |
ГЕТЕРОПЕРЕХІД ZnTe/CdTe СТРУКТУРНИЙ ФАКТОР РОЗМІР ЗЕРЕН ВОЛЬТ-АМПЕРНА ХАРАКТЕРИСТИКА МЕХАНІЗМ СТРУМОПЕРЕНОСУ ZnTe/CdTe HETEROJUNCTIONS STRUCTURE FACTOR GRAIN SIZE CURRENT-VOLTAGE CHARACTERISTIC CHARGE-TRANSPORT MECHANISM |
Type | Article |
Date of Issue | 2009 |
URI | http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/2640 |
Publisher | Вид-во СумДУ |
License | Copyright not evaluated |
Citation | М.М. Колесник, А.С. Опанасюк, Н.В. Тиркусова, С.М. Данильченко, Ж. нано- електрон. фіз. 1 №2, 11 (2009) |
Abstract |
У роботі вивчені структурні та електричні властивості гетеропереходів ZnTe/CdTe, одержаних методом термічного випаровування в квазізамкненому об’ємі. Проведені дослідження дозволили визначити структурні параметри плівок, такі як текстура, період кристалічної гратки, розміри кристалітів та областей когерентного розсіювання, рівень мікродеформацій, а також їх залежність від умов отримання плівок. Електрофізичні дослідження дозволили визначити механізми струмоперенесення в гетеропереході. // Eng In this work we have studied the structural and electrophysical properties of the ZnTe/CdTe heterojunctions, obtained by the method of thermal evaporation in quasi-closed volume. Investigations allowed to define the films structural parameters, such as texture, lattice constant, sizes of grains and coherent-scattering domains, micro-deformation level, and their dependence on the conditions of films production as well. Electrophysical investigations allowed to define the charge-transport mechanism in heterojunction.
При цитуванні документа, використовуйте посилання http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/2640 |
Appears in Collections: |
Журнал нано- та електронної фізики (Journal of nano- and electronic physics) |
Views

9

2

2

1

4963

44560

1

211660

1

1

7

1

1

28

12269065

1

2

4

816933

1

423321

4632927

104
Downloads

41

5

602

1

3

2

12269067

1

1629723

29706

6134535

496
Files
File | Size | Format | Downloads |
---|---|---|---|
jnep_2009_V1_N2_11-20.pdf | 1.7 MB | Adobe PDF | 20064182 |
jnep_eng_2009_V1_N2_08-17.pdf | 2.22 MB | Adobe PDF | 20064182 |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.