Осциляції термоелектричних параметрів наноструктур PbTe:Bi на ситалі

Фреїк, Д.М.; Юрчишин, І.К.; Галущак, М.О; Яворський, Я.С.; Лисюк, Ю.В.

Please use this identifier to cite or link to this item: http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/27791

Or use following links to share this resource in social networks: Recommend this item

Title	Осциляції термоелектричних параметрів наноструктур PbTe:Bi на ситалі
Authors	Фреїк, Д.М. Юрчишин, І.К. Галущак, М.О Яворський, Я.С. Лисюк, Ю.В.
ORCID
Keywords	телурид свинцю вісмут ситал наноструктури квантово-розмірні ефекти
Type	Article
Date of Issue	2012
URI	http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/27791
Publisher	Сумський державний університет
License	Copyright not evaluated
Citation	Д.М. Фреїк, І.К. Юрчишин, М.О. Галущак, та ін., Ж. нано-електрон. фіз. 4 № 2, 02019 (2012)
Abstract	Досліджено товщинні (d) залежності термоелектричних (ТЕ) параметрів (концентрації n, рухливо- сті , провідності , коефіцієнтів Зеєбека S і термоелектричної потужності S2 ) наноструктур n-PbTe легованих вісмутом із вмістом Bi 2 ат. %, вирощених з парової фази на ситалі. Немонотонний хід d- залежностей досліджуваних параметрів пояснено квантуванням енергетичного спектру електронного газу у квантовій ямі структури ситал/n-PbTe:Bi. На базі цього припущення для зазначеної структури побудовано та співставлено з експериментальними теоретичні d-залежності відповідних ТЕ парамет- рів. При цитуванні документа, використовуйте посилання http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/27791
Appears in Collections:	Журнал нано- та електронної фізики (Journal of nano- and electronic physics)