Топологія поверхні шаруватих кристалів p-InSe і n-SnS2-xSex (0 ≤ x ≤ 1) та гетеропереходи на їх основі

Катеринчук, В.М.; Кудринський, З.Р.; Ковалюк, З.Д.

Please use this identifier to cite or link to this item: http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/27815

Or use following links to share this resource in social networks: Recommend this item

Title	Топологія поверхні шаруватих кристалів p-InSe і n-SnS2-xSex (0 ≤ x ≤ 1) та гетеропереходи на їх основі
Authors	Катеринчук, В.М. Кудринський, З.Р. Ковалюк, З.Д.
ORCID
Keywords	атомно-силова мікроскопія шаруваті кристали гетеропереходи спектральні характеристики вольт-амперні-характеристики
Type	Article
Date of Issue	2012
URI	http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/27815
Publisher	Сумський державний університет
License	Copyright not evaluated
Citation	В.М. Катеринчук, З.Р. Кудринський, З.Д. Ковалюк, Ж. нано- електрон. фіз. 4 № 2, 02042 (2012)
Abstract	На вирощених шаруватих кристалах p-InSe і n-SnS2-xSex при допомозі атомно-силового мікроскопа проведені дослідження поверхні цих матеріалів. Методом оптичного контакту створено гетеропереходи p-InSe–n-SnS2-xSex і досліджені їх спектральні та вольт-амперні характеристики. При цитуванні документа, використовуйте посилання http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/27815
Appears in Collections:	Журнал нано- та електронної фізики (Journal of nano- and electronic physics)