Please use this identifier to cite or link to this item:
http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/29659
Or use following links to share this resource in social networks:
Tweet
Recommend this item
Title | Асимметричность плотности распределения объемного неcкомпенсированного заряда на границе металлургического p-n перехода |
Authors |
Мазинов, А.С.
Шевченко, А.И. Быков, М.А. |
ORCID | |
Keywords |
мелкозалегающий p-n переход профиль легирования кристалла коэффициент диффузии энергия активации диффузии плотность распределения заряда нескомпенсированный заряд p-n перехода |
Type | Article |
Date of Issue | 2012 |
URI | http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/29659 |
Publisher | Сумской государственный университет |
License | Copyright not evaluated |
Citation | А.С. Мазинов, А.И. Шевченко, М.А.Быков, Ж. Нано- Электрон. Физ. 4 № 3, 03026 (2012) |
Abstract |
В работе рассмотрены особенности формирования мелкозалегающего перехода и его расчета для создания фотогальванического элемента на основе монокристаллического кремния с фронтальным легированным бором. Показана неоднозначность расчетных профилей перекомпенсирующей примеси, которая зависит от точности определения констант диффузионных уравнений.
При цитировании документа, используйте ссылку http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/29659 |
Appears in Collections: |
Журнал нано- та електронної фізики (Journal of nano- and electronic physics) |
Views

1

1

4

88851

1

13014

1

2

40

9

653986

329363

1263030

2348367
Downloads

9

2

1

1

12

1263029

1

2348367

151
Files
File | Size | Format | Downloads |
---|---|---|---|
Mazinov.pdf | 236.07 kB | Adobe PDF | 3611573 |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.