Розрахунок ансамблю точкових дефектів у монокристалах та плівках сульфіду цинку

Курбатов, Денис Ігорович

Please use this identifier to cite or link to this item: http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/29661

Or use following links to share this resource in social networks: Recommend this item

Title	Розрахунок ансамблю точкових дефектів у монокристалах та плівках сульфіду цинку
Authors	Kurbatov, Denys Ihorovych
ORCID	http://orcid.org/0000-0002-2754-6367
Keywords	точкові дефекти сульфід цинку квазіхімічний формалізм монокристали плівки концентрація дефектів
Type	Article
Date of Issue	2012
URI	http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/29661
Publisher	Сумський державний університет
License	Copyright not evaluated
Citation	Д.І. Курбатов, Ж. Нано- Електрон. Фіз. 4 № 3, 03027 (2012)
Abstract	В роботі з використанням традиційного квазіхімічного підходу проведено розрахунок концентрації нейтральних і заряджених точкових дефектів, положення рівня Фермі та вільних носіїв струму у монокристалах та плівках сульфіду цинку у залежності від умов їх осадження. Для розрахунків використані експериментально знайдені енергії залягання дефектів в забороненій зоні ZnS. При цитуванні документа, використовуйте посилання http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/29661
Appears in Collections:	Журнал нано- та електронної фізики (Journal of nano- and electronic physics)