Перетворення в субмоношарових покриттях хрому та титану на поверхні Sі (001)

Бутарєв, К.О.; Коваль, І.П.; Лень, Ю.А.; Находкін, М.Г.

Please use this identifier to cite or link to this item: http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/30980

Or use following links to share this resource in social networks: Recommend this item

Title	Перетворення в субмоношарових покриттях хрому та титану на поверхні Sі (001)
Other Titles	Transformations in Submonolayer Coverages of Chromium and Titanium on Si (001) Surface Превращения в субмоношаровых покрытиях хрома и титана на поверхности Sі(001)
Authors	Бутарєв, К.О. Коваль, І.П. Лень, Ю.А. Находкін, М.Г.
ORCID
Keywords	Перехідний метал Силіцид Окислення Кремній Transition metal Silicide Oxidation Silicon Переходной металл Силицид Окисление Кремний
Type	Article
Date of Issue	2013
URI	http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/30980
Publisher	Сумський державний університет
License	Copyright not evaluated
Citation	К.О. Бутарєв, І.П. Коваль, Ю.А. Лень, М.Г. Находкін, Ж. Нано- електрон. фіз. 5 № 1, 01025 (2013)
Abstract	В даній роботі проведено дослідження перетворень в покриттях Ti та Cr (~ 1-3 нм) на поверхні Si (001) при кімнатній температурі до та після відпалу при 450 °С. Виявлено, що після відпалу формуються острівцеві плівки. Встановлено, що стехіометрія отриманих острівців відповідає дисиліцидній структурі. При цитуванні документа, використовуйте посилання http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/30980 In this article the structure Si (001) surface covered by the pre-adsorbed (~ 1-3 nm) of Ti and Cr at room temperature after annealing at 450 °C was studied. It was found that after annealing on silicon surface formed island coverage. The investigation of stoichiometry shows that island’s composed of disilicide structure. При цитировании документа, используйте ссылку http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/30980 В данной работе проведено исследования превращения в покрытиях Ti и Cr (~ 1-3 нм) на Si (001) при комнатной температуре до и после отжига при 450 °С. Выявлено, что после отжига формируются островковые пленки. Стехиометрия полученных островков отвечает диссилицидной структуре. When you are citing the document, use the following link http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/30980
Appears in Collections:	Журнал нано- та електронної фізики (Journal of nano- and electronic physics)