Please use this identifier to cite or link to this item:
http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/32569
Or use following links to share this resource in social networks:
Tweet
Recommend this item
Title | Пленки Cu2ZnSnSe4 для поглощающих слоев солнечных элементов |
Other Titles |
Cu2ZnSnSe4 films for solar cells absorbing layers |
Authors |
Opanasiuk, Anatolii Serhiiovych
![]() Koval, Pavlo Viktorovych Коваль, Павел Викторович Kurbatov, Denys Ihorovych ![]() Чеонг, Х. Ponomarov, Oleksandr Heorhiiovych |
ORCID |
http://orcid.org/0000-0002-1888-3935 http://orcid.org/0000-0002-2754-6367 |
Keywords |
Cu2ZnSnSe4 X-ray diffractometry Knudsen cell |
Type | Conference Papers |
Date of Issue | 2013 |
URI | http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/32569 |
Publisher | IEEE Catalog |
License | Copyright not evaluated |
Citation | Cu2ZnSnSe4 films for solar cells absorbing layers [Текст / A.S. Opanasyuk, P.V. Koval, D.I. Kurbatov [et al.] // Microwave & Telecommunication Technology: 23rd Int. Crimean Conference (CriMiCo’2013, 9-13 September, 2013). – Sevastopol, the Crimea, Ukraine, 2013. – P. 806-807. |
Abstract |
С целью оптимизации структурных параметров в работе методами электронной микроскопии и рентген-
дифрактометрии исследованы пленки CZTSe, полученные соиспарением компонентов соединения (Cu, Zn, Sn, и Se) с исполь-
зованием ячеек Кнудсена. В результате анализа рентгеновских дифракционных картин было показано, что пленки имеют од-
нофазную тетрагональную кристаллическую структуру c текстурой роста [211]. Период решетки материала изменяется в ин-
тервале a = (0.56640-0.56867) нм, с = (1.13466-1.13776) нм. Полученные пленки могут быть использованы в качестве поглоща-
ющих слоев высокоэффективных тонкопленочных солнечных преобразователей.
При цитуванні документа, використовуйте посилання http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/32569 CZTSe films obtained by co-evaporating of compounds components (Cu, Zn, Sn, и Se) with using Knudsen cell were investigated by electron microscopy and X-ray diffractometry methods in order to optimize the structural parameters. The analysis of X-ray diffraction showed that CZTSe films have practically monophase tetragonal crystal structure and growth texture of [211] . The lattice period of the material varies in the range of a = (0.56640-0.56867) nm, c = (1.13466-1.13776) nm. Obtained films can be used as highly absorbent layers of thin film solar cells. При цитировании документа, используйте ссылку http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/32569 |
Appears in Collections: |
Наукові видання (ЕлІТ) |
Views

3

1

10181

5

2

2

3

282

406814

1

1

8

1

16

1

116961

1

5

7383589

2

3712142

60173264

222793446
Downloads

1

5

12

1

1

2

1

1

12

1

1

22146046

1

60173265

79186874
Files
File | Size | Format | Downloads |
---|---|---|---|
Cu2ZnSnSe4 films for solar cells absorbing layers.pdf | 692.3 kB | Adobe PDF | 161506224 |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.