Інжекційна спектроскопія глибоких пасткових центрів у плівках телуриду кадмію

Abstract

У дисертації розвинуто прямий експериментальний метод визначення функції енергетичного розподілу локалізованих станів (ЛС) у напівізолюючих твердих тілах з ВАХ струмів, обмежених просторовим зарядом, одержаних при довільних температурах. Він базується на розв`язанні рівняння Фредгольма 1-го роду методом регуляризації Тихонова. Метод застосований для вивчення спектру ЛС у полікристалічних плівках CdTe, одержаних у квазізамкненому об`ємі на провідних підкладках. У забороненій зоні матеріалу виявлено ряд пасток, що описуються розподілами, близькими до гауссових, і параметром енергетичного розупорядкування s=0,015–0,04 еВ з найбільш імовірною глибиною залягання Et1=0,68-0,70 еВ; Et2=0,60-0,63 еВ; Et3=0,56-0,57 еВ; Et4=0,51-0,53 еВ; Et5=0,45-0,46 еВ; Et6=0,39-0,40 еВ та концентрацією Nt=1018–1019 м-3. Показано, що Nt і s розподілу залежать від фізико-технологічних умов одержання плівок, а енергетичний спектр визначається домішково-дефектною структурою матеріалу. При цитуванні документа, використовуйте посилання http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/3434

В диссертации развит прямой экспериментальный метод определения функции энергетического распределения локализованных состояний (ЛС) в полуизолирующих твердых телах из вольт-амперных характеристик токов, ограниченных пространственным зарядом, полученных при произвольных температурах измерения. Метод базируется на решении уравнения Фредгольма 1-го рода методом регуляризации Тихонова, при этом выбор параметра регуляризации осуществлялся как с использованием принципа невязки, так и способом определения квазиоптимального значения параметра. Метод применен для систематического изучения спектра глубоких ловушек в поликристаллических пленках CdTe, полученных в квазизамкнутом объеме на проводящих подложках. В запрещенной зоне материала выявлен ряд ловушек, которые описываются распределениями, близкими к гауссовым, и параметром энергетического разупорядочения s=0,015–0,04 еВ. Наиболее вероятная глубина залегания ЛС составляет Et1=0,68-0,70 еВ; Et2=0,60-0,63 еВ; Et3=0,56-0,57 еВ; Et4=0,51-0,53 еВ; Et5=0,45-0,46 еВ; Et6=0,39-0,40 еВ, в то время как концентрация не превышает Nt=1018–1019 м- 3. Исследована корреляция между параметрами ЛС и структурой слоев. Проведена идентификация выявленных ЛС. Показано, что концентрация и полуширина распределения зависят от физико-технологических условий полученных пленок, в то время как энергетический спектр ловушек определяется примесно-дефектной структурой материала. При цитировании документа, используйте ссылку http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/3434

The dissertation provides the direct experimental method to determine the localized state energy distribution function for semiconductive solid materials based on space-charge-limited current-voltage characteristics. The current-voltage characteristics would be obtained under the random temperatures. Tikhonov regularization method was used to solve Fredholm 1st rank equation. The method developed in this research was used for the study of deep traps in CdTe poly-crystal films obtained in quasi-closed-tube on the conductive substrate. In the bend gap of the material, some traps were traced that can be described by the close to Gaussian distribution parameters as well as by the parameter of energy disorder s=0,015–0,04 еВ. The most probable depth of the localized states is Et1=0,68-0,70 еВ; Et2=0,60-0,63 еВ; Et3=0,56-0,57 еВ; Et4=0,51-0,53 еВ; Et5=0,45-0,46 еВ; Et6=0,39-0,40 еВ, while the concentration is not higher than Nt=1018–1019 м- 3. The research shows that Nt and s depend on the physical and technological conditions of the obtained films, while the energy of the traps depends on the impurity-defective material structure. When you are citing the document, use the following link http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/3434