Magnetic tunnel junctions as a storage element for memory device

Lytvynenko, Ia.M.

Please use this identifier to cite or link to this item: http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/35037

Or use following links to share this resource in social networks: Recommend this item

Title	Magnetic tunnel junctions as a storage element for memory device
Authors	Lytvynenko, Ia.M.
ORCID
Keywords	магнітні тунельні переходи магнитные туннельные переходы magnetic tunnel junctions
Type	Conference Papers
Date of Issue	2014
URI	http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/35037
Publisher	Сумський державний університет
License
Citation	Lytvynenko, Ia.M. Magnec tunnel junctions as a storage element for memory device [Текст] / Ia.M. Lytvynenko; ELA G.I. Lytvynenko // Соціально-гуманітарні аспекти розвитку сучасного суспільства : матеріали Всеукраїнської наукової конференції викладачів, аспірантів, співробітників та студентів, м. Суми, 21-22 квітня 2014 р. / Відп. за вип. О.М. Сушкова. — Суми : СумДУ, 2014. — С. 424.
Abstract	Spin-dependent tunneling in magnetic tunnel junctions (MTJs) has recently aroused great research interest and has developed into a separate branch of materials science. The large tunneling magnetoresistance (TMR) observed in MTJs got much attention due to possible applications in non-volatile random access memories and next generation sensors of magnetic field. When you are citing the document, use the following link http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/35037
Appears in Collections:	Наукові видання (ІФСК)