Технології отримання сучасних напівпровідникових плівок SiC, AIN для застосування в мікроелектроніці та оптоелектроніці

Перекрестов, Вячеслав Іванович; Космінська, Юлія Олександрівна; Мокренко, Олександр Анатолійович; Корнющенко, Ганна Сергіївна; Дьошин, Борис Вікторович; Дьошин, В.Б.; Дешин, В.Б.; Doshyn, V.B.; Латишев, В.М.; Латишев, В.М.; Latyshev, V.M.

Please use this identifier to cite or link to this item: http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/35280

Or use following links to share this resource in social networks: Recommend this item

Title	Технології отримання сучасних напівпровідникових плівок SiC, AIN для застосування в мікроелектроніці та оптоелектроніці
Authors	Perekrestov, Viacheslav Ivanovych Kosminska, Yuliia Oleksandrivna Mokrenko, Oleksandr Anatoliiovych Korniushchenko, Hanna Serhiivna Doshyn, Borys Viktorovych Дьошин, В.Б. Дешин, В.Б. Doshyn, V.B. Латишев, В.М. Латишев, В.М. Latyshev, V.M.
ORCID	http://orcid.org/0000-0002-2175-9206 http://orcid.org/0000-0002-2996-1003
Keywords	магнетронне розпилення магнитронное распыление нітрид алюмінію нитрид аллюминия
Type	Technical Report
Date of Issue	2011
URI	http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/35280
Publisher	Вид-во СумДУ
License	Copyright not evaluated
Citation	Технології отримання сучасних напівпровідникових плівок SiC, AIN для застосування в мікроелектроніці та оптоелектроніці: звіт про НДР (заключний) / Кер.: В.І. Перекрестов. - Суми: СумДУ, 2011. - 62 с.
Abstract	Метою проекту є дослідження й розробка нових технологічних підходів до формування конденсатів Si, SiC і AlN, основаних на явищах самоорганізації квазірівноважних стаціонарних процесів на межі поділу низькотемпературна плазма-конденсат. При цитуванні документа, використовуйте посилання http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/35280
Appears in Collections:	Звіти з наукових досліджень