Please use this identifier to cite or link to this item:
http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/35644
Or use following links to share this resource in social networks:
Tweet
Recommend this item
Title | Вплив відпалу кристала на орієнтаційну залежність ядерного квадрупольного резонансу в InSe |
Other Titles |
Влияние отжига кристалла на ориентационную зависимость ядерного квадрупольного резонанса в InSe The Influence of Crystal Annealing on Orientation Dependence of Nuclear Quadrupole Resonance in InSe |
Authors |
Хандожко, В.О.
Балазюк, В.Н. Ковалюк, З.Д. Раранський, М.Д. |
ORCID | |
Keywords |
ЯКР шаруваті сполуки кристалографічна орієнтація відпал кристалу Слоистые соединения Кристаллографическая ориентация Отжиг кристалла NQR Layered compounds Crystallographic orientation Crystal annealing |
Type | Article |
Date of Issue | 2013 |
URI | http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/35644 |
Publisher | Сумський державний університет |
License | |
Citation | Вплив відпалу кристала на орієнтаційну залежність ядерного квадрупольного резонансу в InSe [Текст] / В.О. Хандожко, М.Д. Раранський, В.Н. Балазюк, З.Д. Ковалюк // Журнал нано- та електронної фізики. - 2013. - Т.5, №3, Ч.ІІ. - 03050. |
Abstract |
Використовуючи метод ЯКР, досліджено залежність інтенсивності спектра від орієнтації кристалографічних осей анізотропного кристала щодо вектора магнітної компоненти високочастотного поля. Наявність залишкової інтенсивності резонансного спектру при Н1c свідчить про присутність в монокристалі дефектів – блоків з малими кутовими границями або іншими порушеннями в атомних шарах. Відпал кристалу при температурі 550 С супроводжується покращенням якості резонансних спектрів ЯКР та дифракційних максимумів на топограмах.
При цитуванні документа, використовуйте посилання http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/35644 Используя метод ЯКР, исследована зависимость интенсивности спектра от ориентации кристалло- графических осей анизотропного кристалла относительно вектора магнитной компоненты высокоча- стотного поля. Наличие остаточной интенсивности резонансного спектра при Н1c свидетельствует о присутствии в монокристалле дефектов – блоков с малыми угловыми границами или другими нару- шениями в атомных слоях. Отжиг кристалла при температуре 550 С сопровождается улучшением качества резонансных спектров ЯКР и дифракционных максимумов на топограммах. При цитировании документа, используйте ссылку http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/35644 The dependence of the spectrum intensity on the orientation of crystallographic axes of anisotropic crystal with respect to the magnetic component vector of high-frequency field was studied using NQR method. The existence of residual intensity of the resonance spectrum while Н1c indicates the presence of defects in single crystal – blocks with small angle boundaries or other violations of atomic layers. Crystal annealing at the temperature of 550C is accompanied by improvment of quality of NQR resonance spectra and diffraction maxima at topograms. When you are citing the document, use the following link http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/35644 |
Appears in Collections: |
Журнал нано- та електронної фізики (Journal of nano- and electronic physics) |
Views
Canada
1
China
14134538
France
1
Germany
7913
Greece
3957
Ireland
97780
Lithuania
1
Romania
1
Russia
13
Singapore
1
Spain
1
Turkey
4
Ukraine
1742106
United Arab Emirates
1
United Kingdom
872042
United States
102670933
Unknown Country
1742105
Downloads
China
17
France
1
Germany
2
Lithuania
1
Singapore
1
Ukraine
5202675
United Kingdom
1
United States
5202675
Unknown Country
34
Files
File | Size | Format | Downloads |
---|---|---|---|
Khandozhko_Crystal annealing.pdf | 256.29 kB | Adobe PDF | 10405407 |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.