Please use this identifier to cite or link to this item:
http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/35647
Or use following links to share this resource in social networks:
Tweet
Recommend this item
Title | Оптичні та електрохімічні властивості шаруватих кристалів GaSe інтеркальованих нікелем |
Other Titles |
Optical and Electrochemical Properties of Layered Crystals GaSe Intercalated by the Nickel Оптические и электрохимические свойства слоистых кристаллов GaSe интеркалированных никелем |
Authors |
Барбуца, С.Г.
Пирля, М.М. Фешак, Т.М. Ковалюк, З.Д. Боледзюк, В.Б. |
ORCID | |
Keywords |
Шаруваті кристали Інтеркаляція Нікелеві інтеркалати Електродний потенціал Екситонні спектри Экситонные спектры Слоистые кристаллы Интеркаляция Никелевые интеркаляты Электродный потенциал Layered crystals Intercalation Intercalates of nickel Electrode potential Exiton spectra |
Type | Article |
Date of Issue | 2013 |
URI | http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/35647 |
Publisher | Сумський державний університет |
License | |
Citation | Оптичні та електрохімічні властивості шаруватих кристалів GaSe інтеркальованих нікелем [Текст] / С.Г. Барбуца, В.Б. Боледзюк, З.Д. Ковалюк та ін. // Журнал нано- та електронної фізики. - 2013. - Т.5, №3, Ч.ІІ. - 03053. |
Abstract |
Представлені результати досліджень оптичних та електрохімічних властивостей вказують на можливість інтеркаляції шаруватих кристалів GaSe іонами нікелю. Встановлено, що електрохімічне впровадження Ni приводить до монотонного збільшення електродного потенціалу шаруватого напівпровідника GaSe при досягненні концентрації інтеркалянту nNi 1018-1020 см – 3. Внаслідок інтеркаляції нікелем в кристалі GaSe при T 293 K відбувається зростання енергетичного положення екситонного максимуму Еекс на 6 меВ (від 2,008 до 2,014 еВ) та суттєве збільшення напівширини екситонної смуги поглинання Н на 5,2 меВ. При температурі Т 77 К виявлені немонотонні залежності енергетичного положення екситонного максимуму Еекс від концентрації, у сполуках NiGaSe. Представлені залежності Еекс(nNi) для цих сполук впровадження пояснюються як результат конкуренції між впливами внутрішньошарових і міжшарових деформацій, які володіють різними знаками деформаційного потенціалу.
При цитуванні документа, використовуйте посилання http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/35647 Предоставленные результаты исследований оптических и электрохимических свойств указывают на возможность интеркаляции слоистых кристаллов GaSe ионами никеля. Установлено, что электрохимиче- ское внедрение Ni приводит к монотонному увеличению электродного потенциала слоистого полупровод- ника GaSe при достижении концентрации интеркалянта nNi 1018-1020 см – 3. Вследствии интеркаляции никелем в кристалле GaSe при Т 293 К происходит увеличение энергетического положения экситонного максимума Еекс на 6 мэВ (от 2,008 до 2,014 эВ) и существенное увеличение полуширины экситонной по- лосы поглощения Н на 5,2 мэВ. При температуре Т 77 К обнаружены немонотонные зависимости энерге- тического положения экситонного максимума Еекс от концентрации в системах NiGaSe. Предоставленные зависимости Еекс(nNi) для этих систем внедрения объясняются как результат конкуренции между влияния- ми между – и внутрислоевых деформаций, которые имеют разные знаки деформационного потенциала. При цитировании документа, используйте ссылку http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/35647 The presented results of the investigations of the optical and electrochemical properties indicate the possibility of intercalation of layered GaSe crystals with nickel ions. Established that the electrochemical introduction of Ni leads to a monotonic growth in electrode potential of layered semiconductors GaSe when a concentration of intercalants nNi 1018-1020сm – 3. In consequence of intercalation of nickel in GaSe crystal at T 293 K, occurred ncreases in the energy position of the exciton peak Eeks 6 meV (from 2.008 to 2.014 eV) and the half-width of the exciton absorption bands of H by 5.2 meV. At a temperature T 77 K was detected non- monotonous concentration dependence of the excitonic maximum energy location for Еeks NiGaSe compounds. The dependence Еeks(nNi) for these compounds are explained as a result of the introduction of competition between contributions of inter - and intralayer deformations which have the opposite signs of deformation potential. When you are citing the document, use the following link http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/35647 |
Appears in Collections: |
Журнал нано- та електронної фізики (Journal of nano- and electronic physics) |
Views
Belgium
1
China
5424
Czechia
1
Denmark
1
France
1
Germany
12
Greece
25292
Indonesia
1
Ireland
2093095
Lithuania
1
Morocco
1
Puerto Rico
1
Romania
1
Russia
30
Spain
1
Turkey
5
Ukraine
16156332
United Kingdom
8084489
United States
303544384
Unknown Country
16156331
Downloads
China
11
Germany
2
Indonesia
1
Ireland
1
Lithuania
1
Ukraine
175981321
United Kingdom
1
United States
261023361
Unknown Country
41
Files
File | Size | Format | Downloads |
---|---|---|---|
Barbutsa_Layered crystals.pdf | 291.74 kB | Adobe PDF | 437004740 |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.