Наноэлектроника: термоэлектрические явления в концепции «снизу-вверх»

Лопаткин, Юрий Михайлович; Кругляк, Ю.А.; Кондратенко, П.А.

Please use this identifier to cite or link to this item: http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/35829

Or use following links to share this resource in social networks: Recommend this item

Title	Наноэлектроника: термоэлектрические явления в концепции «снизу-вверх»
Other Titles	Наноелектроніка: термоелектричні явища в концепції «знизу-вгору» Nanoelectronics: Thermoelectric Phenomena in «Bottom-Up» Approach
Authors	Lopatkin, Yurii Mykhailovych Кругляк, Ю.А. Кондратенко, П.А.
ORCID	http://orcid.org/0000-0001-8913-2816
Keywords	Наноэлектроника Молекулярная электроника Снизу-вверх Термоэлектрические явления Транспорт фононов Наноелектроніка Молекулярна електроніка Знизу-вгору Термоелектричні явища Транспорт фононів Nanoelectronics Molecular electronics Bottom-up Thermoelectric phenomena Phonon current
Type	Article
Date of Issue	2014
URI	http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/35829
Publisher	Сумский государственный университет
License	Copyright not evaluated
Citation	Кругляк, Ю.А. Наноэлектроника: термоэлектрические явления в концепции «снизу-вверх» [Текст] / Ю.А. Кругляк, П.А. Кондратенко, Ю.М. Лопаткин // Журнал нано- та електронної фізики. — 2014. — Т.6, №1. — 01013.
Abstract	В рамках концепції «знизу-вгору» наноелектроніки розглядаються термоелектричні явища Зеєбека і Пельтьє, показники якості і оптимізація термоелектриків, балістичний та дифузійний транспорт фононів і його роль в теплопровідності. При цитуванні документа, використовуйте посилання http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/35829 В рамках концепции «снизу – вверх» наноэлектроники рассматриваются термоэлектрические явления Зеебека и Пельтье, показатели качества и оптимизация термоэлектриков, баллистический и диффузионный транспорт фононов и его роль в теплопроводности. При цитировании документа, используйте ссылку http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/35829 Thermoelectric phenomena of Seebeck and Peltier, quality indicators and thermoelectric optimization, ballistic and diffusive phonon heat current are discussed in the frame of the «bottom-up» approach of modern nanoelectronics. When you are citing the document, use the following link http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/35829
Appears in Collections:	Журнал нано- та електронної фізики (Journal of nano- and electronic physics)