Point defect structure in CdTe and ZnTe thin films

Abstract

Були досліджені точкові дефекти структури (ТДС) в тонких плівках CdTe та ZnTe, вирощених методом квазі-замкнутого обєму на різних підкладках. Плівки були проаналізовані методом рентгенівської дифракції і скануючої електронної мікроскопії. Для вивчення точкових дефектів, були досліджені співвідношення провідність-температура і темна-ВАХ-струмові характеристики з використанням теорії просторового заряду обмежених струмів. Глибокі енергетичні рівні в забороненій зоні вивчалися методом інжекційної спектроскопії. У забороненій зоні як CdTe так і ZnTe спектр центрів пасток і акцепторів з різними енергіями не виявлено. Для моделі ТДС плівок був застосований квазі-хімічний формалізм. При цитуванні документа, використовуйте посилання http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/3602

Были исследованы точечные дефекты структуры (ТДС) в тонких пленках CdTe и ZnTe, выращенных методом квази-замкнутого объем на различных подложках. Пленки были проанализированы методом рентгеновской дифракции и сканирующей электронной микроскопии. Для изучения точечных дефектов, были исследованы соотношения проводимость-температура и темная-ВАХ- токовые характеристики с использованием теории пространственного заряда ограниченных токов. Глубокие энергетические уровни в запрещенной зоне изучались методом инжекционной спектроскопии. В запрещенной зоне как CdTe так и ZnTe спектр центров ловушек и акцепторов с различными энергиями не выявлено. Для модели ТДС пленок был применен квази-химический формализм. При цитировании документа, используйте ссылку http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/3602

The point defect structure (PDS) in CdTe and ZnTe thin films grown by the quasi-close volume method on different substrates was investigated. The films were analyzed by X-ray diffraction and scanning electron microscopy. To study the point defects the conductivity– temperature relationships and dark voltage–current characteristics using the theory of space charge limited currents were investigated. The deep energy levels in the band gap (BG) were studied by the method of injection spectroscopy. In the BG of both CdTe and ZnTe a range of trap centers and acceptors with different energy were revealed. To model the PDS in the films the quasi-chemical formalism was applied. When you are citing the document, use the following link http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/3602