Please use this identifier to cite or link to this item:
http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/36029
Or use following links to share this resource in social networks:
Tweet
Recommend this item
Title | Отримання шарів AlN при магнетронному розпиленні алюмінію в газовій суміші Ar + N2 |
Other Titles |
Formation of AlN Layers at Magnetron Sputtering of Aluminum in Ar + N 2 Gas Mixture Получение слоев AlN при магнетронном распылении алюминия в газовой смеси Ar + N2 |
Authors |
Korniushchenko, Hanna Serhiivna
|
ORCID |
http://orcid.org/0000-0002-2996-1003 |
Keywords |
Нітрид алюмінію Квазірівноважна стаціонарна конденсація Реактивне магнетронне розпилення Накопичувальна система плазма - конденсат Нитрид алюминия Квазиравновесная стационарная конденсация Реактивное магнетронное распыление Накопительая система плазма - конденсат Aluminum nitride Near - equilibrium steady - state condensation Reactive magnetron sputtering Plasma - condensate accumulation system |
Type | Article |
Date of Issue | 2014 |
URI | http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/36029 |
Publisher | Сумський державний університет |
License | |
Citation | А.С. Корнющенко, Ж. нано- электрон. физ. 6 № 2, 02017 (2014) |
Abstract |
В даній роботі були проведені дослідження впливу параметрів експерименту, таких як потужність розряду, тиск робочого газу, температура ростової поверхні на процес формування та основні характеристики шарів нітриду алюмінію. В результаті оптимізації вказаних параметрів одержані близькі до стехіометричного складу
шари AlN, що мають кристалічну будову з гексагональною граткою типу вюрциту. Проведені дослідження структури, фазового складу та мікротвердості конденсатів, які мають найбільш близькі
до стехіометричних елементні склади. Мікротвердість отриманих покриттів склала 0.760÷1.12Гпа.
При цитуванні документа, використовуйте посилання http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/36029 В данной работе проведены исследования влияния параметров эксперимента, таких как мощность разряда, давление рабочего газа , температура ростовой поверхности на процесс формирования и основные характеристики слоев нитрида алюминия. В результате оптимизации указанных параметров нами получены близкие к стехиометрическому составу слоя AlN, имеющие кристаллическое строение с гексагональной решеткой типа вюрцита. Проведенные исследования структуры, фазового состава и микротвердости конденсатов, которые имеют элементные составы наиболее близкие к стехиометрическим. Микротвердость полученных покрытий составляет 0.760 ÷ 1.12 ГПа. При цитировании документа, используйте ссылку http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/36029 The influence of technological parameters,such as discharge power, working gas pressure, growth surface temperature, on the formation mechanisms and main characteristics of aluminum nitride has been investigated in the work. On the basis of optimization of the stated technological parameters, the aluminum nitride layers close to stoichiometric composition having hexagonal crystal lattice of wurtzite type have been obtained.The investigations of the structure, phase composition and microhardness have been performed for the layers with elemental composition closest to the stoichiometric one.The microhardness of the layers obtained varies from 0.760 to 1.12 GPa. When you are citing the document, use the following link http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/36029 |
Appears in Collections: |
Журнал нано- та електронної фізики (Journal of nano- and electronic physics) |
Views
Canada
1
China
675278825
France
675278826
Germany
38300874
Greece
2116183
Ireland
19150438
Italy
1
Lithuania
1
Netherlands
26197
Romania
2
Russia
26183
Turkey
4
Ukraine
1042164776
United Kingdom
153177281
United States
-1621874095
Unknown Country
1042164777
Downloads
China
1
Finland
1
France
1
Germany
2
Lithuania
1
Ukraine
449506449
United Kingdom
1
United States
2025810276
Unknown Country
55
Files
File | Size | Format | Downloads |
---|---|---|---|
Koryushchenko_aluminum nitride.pdf | 413.46 kB | Adobe PDF | -1819650509 |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.