Please use this identifier to cite or link to this item: http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/36096
Or use following links to share this resource in social networks: Recommend this item
Title Фазові перетворення і магніторезистивні властивості розбавлених твердих розчинів на основі атомів Fe і Ge
Other Titles Фазовые превращения и магниторезистивные свойства разбавленных пленочных твердых растворов на основе атомов Fe и Ge
The Phase Transformations and Magnetoresistive Properties of Diluted Film Solid Solutions Based on Fe and Ge Atoms
Authors Vlasenko, Oleksandr Volodymyrovych  
Odnodvorets, Larysa Valentynivna  
Shumakova, Nataliia Ivanivna
ORCID http://orcid.org/0000-0003-4315-5654
http://orcid.org/0000-0002-8112-1933
Keywords Плівкові матеріали на основі Fe і Ge
Фазові перетворення
Концентрація атомів
Твердий розчин
Магнітопір
Film materials based on Fe and Ge
Phase transformations
Concentration of atoms
Solid Solution
Magnetoresistance
Пленочные материалы на основе Fe и Ge
Фазовые превращения
Концентрация атомов
Твердый раствор
Type Article
Date of Issue 2014
URI http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/36096
Publisher Сумський державний університет
License
Citation О.В. Власенко, Л.В. Однодворець, Н.І. Шумакова, Ж. нано- електрон. фіз. 6 No 2, 02025 (2014)
Abstract У роботі проведено дослідження структури і фазового складу та магніторезистивних властивостей одно- і тришарових плівок на основі Fe і Ge. Встановлено, що в них при загальній концентрації атомів Ge від 3 до 20 ат. % в інтервалі температур 300-870 К відбувається утворення евтектики на основі розбавлених твердих розчинів атомів Ge в шарах α-Fe та атомів Fe в α-Ge. Показано, що магніторезистивні властивості плівок евтектичного складу не суттєво відрізняються від аналогічних властивостей плівок α-Fe. При цитуванні документа, використовуйте посилання http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/36096
В работе проведено исследование структуры и фазового состава и магниторезистивных свойств одно-и трехслойных пленок на основе Fe и Ge. Установлено, что в них при общей концентрации атомов Ge от 3 до 20 ат.% в интервале температур 300-870 К происходит образование эвтектики на основе разбавленных твердых растворов атомов Ge в слоях α-Fe и атомов Fe в α-Ge. Показано, что магниторезистивные свойства пленок эвтектического состава не существенно отличаются от аналогичных свойств пленок α-Fe. При цитировании документа, используйте ссылку http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/36096
In the article, the structure, phase composition and magnetoresistive properties of single- and three-layer films based on Fe and Ge were studied. It is established that in such films eutectic is formed based on diluted solid solutions of Ge atoms in α-Fe layers and of Fe atoms in α-Ge layers at the total concentration of Ge atoms from 3 to 20 at.% in the temperature range of 300-870 K. It is shown that magnetoresistive properties of the films with eutectic composition are not significantly different from the properties of α-Fe films. When you are citing the document, use the following link http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/36096
Appears in Collections: Журнал нано- та електронної фізики (Journal of nano- and electronic physics)

Views

Australia Australia
1
Belgium Belgium
1
Canada Canada
1
China China
251
Denmark Denmark
1
Finland Finland
2
France France
84580
Germany Germany
6
Greece Greece
5227392
Ireland Ireland
94353931
Lithuania Lithuania
1
Netherlands Netherlands
84582
Russia Russia
11
Serbia Serbia
1
Singapore Singapore
2110385377
Sweden Sweden
1
Turkey Turkey
4
Ukraine Ukraine
847986928
United Kingdom United Kingdom
424550391
United States United States
-1664677505
Unknown Country Unknown Country
1835049310

Downloads

Azerbaijan Azerbaijan
1
China China
9
France France
1
Germany Germany
2
Lithuania Lithuania
1
Ukraine Ukraine
71104
United Kingdom United Kingdom
1
United States United States
-869437023
Unknown Country Unknown Country
1835049312

Files

File Size Format Downloads
Vlasenko_Film.pdf 481.96 kB Adobe PDF 965683408

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.