Please use this identifier to cite or link to this item: http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/36704
Or use following links to share this resource in social networks: Recommend this item
Title Структурні, оптичні та електрофізичні властивості плівок CdSe та ZnSe і гетеропереходів на їх основі
Authors Ivashchenko, Maksym Mykolaiovych  
ORCID http://orcid.org/0000-0002-4611-0956
Keywords напівпровідникові плівки
полупроводниковые пленки
semiconductor films
селенід кадмію
селенид кадмия
cadmium selenide
селенід цинку
селенид цинка
zinc selenide
оптичні властивості
оптические свойства
optical properties
гетеропереходи
гетеропереходы
hetero–junctions
вольт–амперні характеристики
вольт–амперные характеристики
current–voltage curves
сонячні елементи
солнечные элементы
solar cells
Type PhD Thesis
Date of Issue 2014
URI http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/36704
Publisher Вид-во СумДУ
License
Citation Іващенко, М.М. Структурні, оптичні та електрофізичні властивості плівок CdSe та ZnSe і гетеропереходів на їх основі [Текст]: дисертація на здобуття наукового ступеня канд. фіз.-мат. наук / М.М. Іващенко; Наук. кер. А.С. Опанасюк. - Суми: СумДУ, 2011. - 378 с. - СумДУ
Abstract Дисертаційна робота присвячена дослідженню морфології поверхні, структурно-фазового стану, оптичних і електрофізичних властивостей плівок CdSe і ZnSe та гетеропереходів (ГП) на їх основі, отриманих методом термічного випаровування у квазізамкненому об’ємі, моделюванню основних експлуатаційних характеристик сонячних елементів (СЕ) на основі ГП p–ZnTe/n– CdSe і n–ZnSe/n–CdSe, визначенню їх оптимальних фізичних та конструкційних параметрів. У роботі проведено комплексне дослідження морфології поверхні, структурних та субструктурних особливостей плівок CdSe та ZnSe залежно від фізико–технологічних умов їх конденсації. Досліджено зв’язок оптичних та електрофізичних властивостей селенідів з їх структурно-фазовим станом. Установлені режими отримання структурно досконалих плівок, придатних для використання у приладобудуванні. Наведено результати дослідження процесів відбиття, поглинання світла та генерації електронно-діркових пар у СЕ на основі ГП р–ZnTe/n–CdSe і n–ZnSe/n–CdSe. Подаються результати розрахунку оптичних втрат, пов’язаних із поглинанням та відбиттям світла у допоміжних шарах багатошарової структури скло/p-СuO/p-ZnTe/n-CdSe, яка може бути використана як СЕ. В умовах освітлення АМ-1,5 розраховано темнові і світлові ВАХ СЕ та залежності квантового виходу від довжини хвилі випромінювання залежно від таких параметрів моделювання, як товщина базового та віконного шарів, температура експлуатації. У результаті моделювання були встановлені оптимальні конструкційні параметри фотоперетворювачів, що забезпечують максимальний ККД СЕ. З урахуванням результатів моделювання експериментально були отримані гетеросистеми p–ZnTe/n–CdSe та досліджені їх морфологія, структурні, субструктурні та електрофізичні властивості, визначений механізм струмопроходження у ГП. При цитуванні документа, використовуйте посилання http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/36704
Диссертационная работа посвящена исследованию морфологии поверхности, структурно-фазового состояния, оптических и электрофизических свойств пленок CdSe и ZnSe и гетеропереходов (ГП) на их основе, полученных методом термического испарения в квазизамкнутом объеме, моделированию основных эксплуатационных характеристик солнечных элементов (СЭ) на основе ГП p– ZnTe/n–CdSe и n–ZnSe/n–CdSe, определению их оптимальных физических и конструктивных параметров. В работе проведено комплексное исследование морфологии поверхности, структурных и субструктурных особенностей пленок CdSe и ZnSe в зависимости от физико-технологических условий их конденсации. Исследована связь оптических и электрофизических свойств селенидов с их структурно-фазовым состоянием. В результате установлены режимы получения структурно совершенных пленок селенидов, пригодных для использования в приборостроении. Приведены результаты исследования процессов отражения, поглощения света и генерации электронно-дырочных пар в СЭ на основе ГП р–ZnTe/n–CdSe и n–ZnSe/n–CdSe. Представлены результаты расчета оптических потерь, связанных с поглощением и отражением света во вспомогательных слоях многослойной структуры стекло/p-СuO/p-ZnTe/n-CdSe, которая может быть использована как СЭ. В условиях освещения АМ-1,5 рассчитаны темновые и световые ВАХ СЭ и зависимости квантового выхода от длины волны излучения в зависимости от таких параметров моделирования, как толщина базового и оконного слоев, температура эксплуатации. В результате моделирования были установлены оптимальные конструкционные параметры фотопреобразователей, обеспечивающих максимальный КПД СЭ. С учетом результатов моделирования экспериментально были получены гетеросистемы p-ZnTe/n-CdSe и исследованы их морфология, структурные, субструктурные и электрофизические свойства, определен механизм токопрохождения в ГП. При цитировании документа, используйте ссылку http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/36704
This thesis is devoted to investigation of the surface morphology, structure–phase state, optical and electro-physical properties of CdSe and ZnSe films and hetero–junctions (HJ) on their base obtained be close–spaced vacuum sublimation (CSVS) technique, modeling the general working characteristics of p–ZnTe/n–CdSe and n–ZnSe/n–CdSe HJs, determination their optimal physical and constructional parameters. In this work was carried out a complex investigation of the surface morphology, structural and sub–structural features of CdSe and ZnSe films depend on their physical and technological condensation conditions. Was researched a connection between optical (electro–physical) selenides properties and their structure–phase state. Were estimated regimes obtaining the structurally ideal films suitable for usage in device– making branch. At first it was carried out an investigation of Raman scattering spectra of ZnSe polycrystalline films obtained at different substrate temperatures by CSVS method. On spectra were observed peaks which were interpreted as TO and LO modes and their phonon replicas. A shift of 1LO–phonon replica in a red-spectral range compare to it’s position in a bulk material says about the films tension due to thermal deformations. A presence of a high–order numbers of LO-modes confirms our conclusion of structural investigation about the high films quality.thermal deformations. A presence of a high–order numbers of LO-modes confirms our conclusion of structural investigation about the high films quality. Presented results of investigation the light’s reflectance and absorbance processes, electron–hole pairs generation in SC based on р–ZnTe/n–CdSe and n– ZnSe/n–CdSe HJs. It was carried out a measurement of optical losses connected to the light’s absorption and reflection in auxially layers of multi–layered glass/p–CuO/p– ZnTe/n–CdSe structure, which may be used as SC. At AM-1.5 lighting condition were measured dark and light IV–curves and “quantum efficiency–wavelength” dependencies depend on the next modeling parameters: base and window layer’s thickness, working temperature. As a result of a modeling procedure were estimated optimal construction parameters of photo–convertors which ensure the maximal efficiency of SC. With taking into account resylts of the modeling, were experimentally obtained p–ZnTe/n–CdSe hetero–systems and were investigated their morphology, structural, sub-structural and electro–physical properties and determined their currenttransition mechanism in HJ. When you are citing the document, use the following link http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/36704
Appears in Collections: Дисертації

Views

Argentina Argentina
1
Australia Australia
1
Austria Austria
1
Belarus Belarus
1
Belgium Belgium
1
Bulgaria Bulgaria
1
Canada Canada
1
China China
2
Colombia Colombia
1
Cuba Cuba
1
EU EU
1
Finland Finland
1
France France
2050780480
Germany Germany
372388
Greece Greece
1
Ireland Ireland
2014375865
Italy Italy
1
Latvia Latvia
1
Lithuania Lithuania
1
Mexico Mexico
3
Moldova Moldova
128377
Netherlands Netherlands
390031666
Pakistan Pakistan
499719081
Portugal Portugal
1
Romania Romania
1
Russia Russia
56195
Singapore Singapore
2050780475
Spain Spain
1
Sweden Sweden
372417
Turkey Turkey
6
Ukraine Ukraine
1760630741
United Kingdom United Kingdom
1492919471
United States United States
-786631851
Unknown Country Unknown Country
883734956

Downloads

Austria Austria
2
Azerbaijan Azerbaijan
1
Belarus Belarus
1
Bulgaria Bulgaria
1
China China
73100
EU EU
1
Estonia Estonia
62892
Finland Finland
2050780485
France France
2050780488
Germany Germany
-786631854
India India
1
Indonesia Indonesia
2050780477
Iraq Iraq
5
Ireland Ireland
2050780473
Italy Italy
2
Japan Japan
1412344966
Lithuania Lithuania
21925
Luxembourg Luxembourg
1
Netherlands Netherlands
2
Poland Poland
986721289
Portugal Portugal
1
Russia Russia
1782357629
Singapore Singapore
1
Slovakia Slovakia
1
Sweden Sweden
1
Ukraine Ukraine
2050780596
United Kingdom United Kingdom
25075198
United States United States
-786631823
Unknown Country Unknown Country
883735211

Files

File Size Format Downloads
diss_ivashchenko.pdf 6.36 MB Adobe PDF 886129185
critique_sipatov_o.yu.pdf 2.35 MB Adobe PDF 886129185
critique_slipchenko_m.i.pdf 1.31 MB Adobe PDF 886129185

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.