Структурні дослідження плівок MgO, отриманих методом спрей-піролізу

Д`яченко, Олексій Вікторович; Д'яченко, Олексій Вікторович; Опанасюк, Анатолій Сергійович; Курбатов, Денис Ігорович; Кузнєцов, Володимир Миколайович; Кузнецов, Володимир Миколайович; Kuznetsov, Volodymyr Mykolayovich

Please use this identifier to cite or link to this item: http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/38261

Or use following links to share this resource in social networks: Recommend this item

Title	Структурні дослідження плівок MgO, отриманих методом спрей-піролізу
Authors	Diachenko, Oleksii Viktorovych Diachenko, Oleksii Viktorovych Opanasiuk, Anatolii Serhiiovych Kurbatov, Denys Ihorovych Кузнєцов, Володимир Миколайович Kuznetsov, Volodymyr Mykolaiovych Kuznetsov, Volodymyr Mykolayovich
ORCID	http://orcid.org/0000-0003-2312-5255 http://orcid.org/0000-0003-2312-5255 http://orcid.org/0000-0002-1888-3935 http://orcid.org/0000-0002-2754-6367
Keywords	тонкі плівки тонкие пленки thin films спрей-пиролиз spray pyrolysis спрей-піроліз
Type	Conference Papers
Date of Issue	2014
URI	http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/38261
Publisher	Львівський національний університет ім. Івана Франка
License
Citation	Структурні дослідження плівок MgO, отриманих методом спрей-піролізу [Текст] / О.В. Д`яченко, Д.І. Курбатов, А.С. Опанасюк, В.М. Кузнєцов // Еврика-2014: Міжнародна наукова конференція студентів і молодих науковців з теоретичної та експериментальної фізики (Львів, 15-17 травня 2014 р.). - Львів, 2014. - C. 125.
Abstract	Сьогодні, оксидні матеріали набувають все більшого використання в електронній техніці. Так оксид магнію, завдяки своїм властивостям, є перспективною сполукою для створення приладів нано- та мікроелектроніки. Цей матеріал є прямозонним напівпровідником n-типу провідності, крім того він має дуже велике значення ширини забороненої зони в порівнянні з іншими матеріалами (Eg=7,8 еВ при кімнатній температурі). Оксид магнію має ряд властивостей, важливих для функціонування напівпровідникових приладів: високу теплопровідність, низьку діелектричну проникність та діелектричні втрати, високий коефіцієнт пропускання та низький коефіцієнт заломлення світла. Це обумовлює застосування сполуки як матеріалу захисних екранів рідкокристалічних дисплеях, надпровідникових приладів, ізолюючих шарів тунельних переходів, а також антивідбивних та буферних шарів сонячних елементів на основі різних поглинаючих шарів.
Appears in Collections:	Наукові видання (ЕлІТ)