Influence of solution precursors on structure of ZnO films

Please use this identifier to cite or link to this item: http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/38273

Or use following links to share this resource in social networks: Recommend this item

Title	Influence of solution precursors on structure of ZnO films
Authors	Berestok, Taisiia Oleksandrivna Opanasiuk, Anatolii Serhiiovych
ORCID	http://orcid.org/0000-0002-1888-3935
Keywords	тонкі плівки тонкие пленки thin films структурні властивості структурные свойства structure properties
Type	Conference Papers
Date of Issue	2014
URI	http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/38273
Publisher	Астропринт
License	Copyright not evaluated
Citation	Berestok, T.O. Influence of solution precursors on structure of ZnO films [Text] / T.O. Berestok, A.S. Opanasyuk // Сенсорна електроніка та мікросистемні технології: 6-та Міжнародна науково-технічна конференція (з виставкою розробок та промислових зразків сенсорів) "СЕМСT-6", Україна, Одеса, 29.09 - 03.10.2014 р. - Одеса: Астропринт, 2014. - C. 56
Abstract	Owing to the wide range of zinc oxide applications as the base material of creation of gas sensors, sensors of various types of radiation, devices of micro- and optoelectronics, it has attracted a great attention of researchers. Due to a large band gap Eg = 3.37 eV, ZnO can be used as window and conductive layers of solar cells.
Appears in Collections:	Наукові видання (ЕлІТ)