Модифікація зонної структури деформованих квантових дротів InP

Abstract

У роботі описуються особливості зонної структури деформованих нанодротів InР різного діаметру. Показано, що вигин квантових дротів здатний створити віддалені від поверхонь циліндричного дроту локальні мінімуми у зоні провідності та валентній зоні. Цей результат відкриває нові можливості ке- рування часом життя фотозбуджених носіїв заряду шляхом їх утримання на цих мінімумах, а також величиною фотонапруги у пристроях перетворення сонячної енергії на квантових дротах. Робота пе- реслідує загальну мету розробити нові методи функціоналізації наноструктурованих поверхонь з ви- користанням механічної деформації.

В работе описываются особенности зонной структуры деформированных нанопроводов InР разного диаметра. Показано, что изгиб квантовых проволок способен создать удаленные от поверхностей ци- линдрического провода локальные минимумы в зоне проводимости и валентной зоне. Этот результат открывает новые возможности управления временем жизни фотовозбужденных носителей заряда пу- тем их удержания на этих минимумах, а также величиной фотонапряжения в устройствах преобразо- вания солнечной энергии на квантовых проводах. Работа преследует общую цель разработать новые методы функционализации наноструктурированных поверхностей с использованием механической деформации.

The work describes the features of the band structure of deformed InP nanowires with different diameters. It is shown that the bending of quantum wires is capable of creating local minima in the conduction and valence bands which are separated from the surface of the cylindrical wire. This result opens up new possibilities for controlling both the lifetime of photoexcited carriers by keeping them at these minima and the magnitude of the photovoltage in solar energy conversion devices based on quantum wires. The work lies within a common goal aiming to develop new methods of functionalization of nanostructured surfaces using mechanical deformations.