Please use this identifier to cite or link to this item: http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/38483
Or use following links to share this resource in social networks: Recommend this item
Title Низькорозмірні структури GaN
Other Titles Gan low-dimensional structures
Низкоразмерные структуры GaN
Authors Дяденчук, А.Ф. Д
Кідалов, В.В.
ORCID
Keywords Метод нітридизації
Квантові точки
Метод нитридизации
Квантовые точки
Nitridation method
Quantum dots
Type Article
Date of Issue 2014
URI http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/38483
Publisher Сумський державний університет
License
Citation А.Ф. Дяденчук, В.В. Кідалов, Ж. нано- електрон. фіз. 6 № 4, 04043 (2014)
Abstract Вперше досліджено низькорозмірні структури GaN на поверхні поруватого GaAs отримані мето- дом нітридизації поруватих шарів GaAs, розглянуто процес електрохімічного травлення GaAs з пода- льшою обробкою в атомарному азоті, у результаті чого на поверхні GaAs формуються квантові точки GaN. При осаджені на поверхню GaAs відбувається заміщення атомів As атомами N, яке призводить до формуванння тонкого шару GaN на поверхні GaAs. Досліджено їх фотолюмінесценцію і морфоло- гію поверхні методом скануючої електронної спектроскопії.
Впервые исследованы низкоразмерные структуры GaN на поверхности пористого GaAs полученного методом нитридизации пористых слоев GaAs, рассмотрен процесс электрохимического травления GaAs с последующей обработкой в атомарном азоте, в результате чего на поверхности GaAs формируются кван- товые точки GaN. При осаждении на поверхность GaAs происходит замещение атомов As атомами N, ко- торое приводит к формированию тонкого слоя GaN на поверхности GaAs. Исследованы их фотолюми- несценция и морфология поверхности методом сканирующей электронной спектроскопии.
The GaN low-dimensional structures obtained by nitridation of GaAs porous layers were investigated for the first time. The process of GaN quantum dots formation on the GaAs surface was considered. This process was a result of electrochemical etching of GaAs followed by treatment in atomic nitrogen environment. Nitrogen atoms, which were deposited on the GaAs surface, replace arsenic ones that lead to the formation of a thin GaN layer on the GaAs surface. The photoluminescence and surface morphology of the structures obtained were studied by scanning electron spectroscopy.
Appears in Collections: Журнал нано- та електронної фізики (Journal of nano- and electronic physics)

Views

Canada Canada
1
China China
1
Germany Germany
30704
Ireland Ireland
8828
Lithuania Lithuania
1
Netherlands Netherlands
769
Singapore Singapore
2301232
Ukraine Ukraine
207246
United Kingdom United Kingdom
105159
United States United States
1741276
Unknown Country Unknown Country
207245

Downloads

China China
30705
France France
2
Germany Germany
2
Lithuania Lithuania
1
Russia Russia
1
Singapore Singapore
1
Ukraine Ukraine
621361
United Kingdom United Kingdom
1
United States United States
1741275
Unknown Country Unknown Country
16

Files

File Size Format Downloads
Dyadenchuk_Kidalov.pdf 244.89 kB Adobe PDF 2393365

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.