Влияние наноразмерной прослойки оксида олова на эффективность фотоэлектрических процессов в пленочных солнечных элементах на основе теллурида кадмия

Хрипунов, Г.С.; Пирогов, А.В.; Кудий, Д.А.; Зайцев, Р.В.; Хрипунова, А.Л.; Геворкян, В.А.; Гладышев, П.П.

Please use this identifier to cite or link to this item: http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/39060

Or use following links to share this resource in social networks: Recommend this item

Title	Влияние наноразмерной прослойки оксида олова на эффективность фотоэлектрических процессов в пленочных солнечных элементах на основе теллурида кадмия
Other Titles	Effect of Nanosized Tin Oxide Layer on the Efficiency of Photovoltaic Processes in Film Solar Cells Based on Cadmium Telluride Вплив нанорозмірного прошарку оксиду олова на ефективність фотоелектричних процесів у плівкових сонячних елементах на основі телуриду кадмію
Authors	Хрипунов, Г.С. Пирогов, А.В. Кудий, Д.А. Зайцев, Р.В. Хрипунова, А.Л. Геворкян, В.А. Гладышев, П.П.
ORCID
Keywords	Тонкопленочный солнечный элемент Стеклянные и гибкие подложки Диоксид олова Теллурид и сульфид кадмия Тонкоплівковий сонячний елемент Скляні та гнучкі підкладки Діоксид олова Телурид та сульфід кадмію Thin film solar cells Glass and flexible substrates Tin dioxide Cadmium sulfide and cadmium telluride
Type	Article
Date of Issue	2015
URI	http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/39060
Publisher	Сумский государственный университет
License
Citation	Г.С. Хрипунов, А.В. Пирогов, Д.А. Кудий, и др., Ж. нано- электрон. физ. 7 № 1, 01016 (2015)
Abstract	Був досліджений вплив товщини нанорозмірного прошарку на ефективність фотоелектричних процесів у сонячних елементах (СЕ) ITO / SnO2 / CdS / CdTe / Cu / Au, сформованих на різних підклад- ках. Для приладових структур, сформованих на скляних підкладках, максимальна ефективність 11,4 % досягається при товщині шару оксиду олова 80 нм. Для гнучких сонячних елементів, сформо- ваних на поліімідних плівках, максимальна ефективність 10,8 % спостерігається при товщині шару оксиду олова 50 нм. У роботі обговорюються фізичні механізми спостережуваних відмінностей у ККД. Было исследовано влияние толщины наноразмерной прослойки на эффективность фотоэлектри- ческих процессов в солнечных элементах (СЭ) ITO / SnO2 / CdS / CdTe / Cu / Au, сформированных на различных подложках. Для приборных структур, сформированных на стеклянных подложках, мак- симальная эффективность 11,4 % достигается при толщине слоя оксида олова 80 нм. Для гибких сол- нечных элементов, сформированных на полиимидных пленках, максимальная эффективность 10,8 % наблюдается при толщине слоя оксида олова 50 нм. В работе обсуждаются физические механизмы наблюдаемых отличий в КПД. The influence of the thickness of the nanosized layer on the efficiency of photoelectric processes in solar cells (SC) ITO / SnO2 / CdS / CdTe / Cu / Au formed on different substrates was investigated. For device structures formed on the glass substrates, the maximum efficiency of 11.4 % is achieved when thickness of the tin oxide layer is 80 nm. For flexible solar cells formed on a polyimide film, the maximum efficiency of 10.8 % is observed when thickness of the tin oxide layer is 50 nm. This paper discusses the physical mechanisms of the observed differences in efficiency
Appears in Collections:	Журнал нано- та електронної фізики (Journal of nano- and electronic physics)