Картина полей на металлодиэлектрической структуре в волноводе

Полетаев, Д.А.

Please use this identifier to cite or link to this item: http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/39550

Or use following links to share this resource in social networks: Recommend this item

Title	Картина полей на металлодиэлектрической структуре в волноводе
Authors	Полетаев, Д.А.
ORCID
Keywords	інтегральні мікросхеми интегральные микросхемы integrated circuits електромагнітне випромінювання электромагнитное излучение electromagnetic radiation
Type	Conference Papers
Date of Issue	2014
URI	http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/39550
Publisher	Сумский государственный университет
License
Citation	Полетаев, Д.А. Картина полей на металлодиэлектрической структуре в волноводе [Текст] / Д.А. Полетаев // Фізика, електроніка, електротехніка : матеріали та програма науково-технічної конференції, м. Суми, 21-26 квітня 2014 р. / Відп. за вип. С.І. Проценко. - Суми : СумДУ, 2014. - С. 63.
Abstract	Отказ интегральных микросхем (ИМС) может происходить из-за воздействия мощного СВЧ излучения. Это обусловлено прожогом проводящих пленок или активных микроструктурных элементов. При этом большинство исследователей считают, что механизм прожога антенный диэлектрической структуре (МДС), которая является моделью ИМС, наряду с антенным механизмом, может проявляться и механизм, связанный с конечной проводимостью пленок (скин-эффект). Целью работы является численный расчет поверхностных токов на металлической пленке при воздействии электромагнитного излучения в прямоугольном волноводе.
Appears in Collections:	Наукові видання (ЕлІТ)