Вплив часу інтеркалювання C[3]H[8]O[3] на основні параметри шаруватих кристалів InSe

Фешак, Т.М.

Please use this identifier to cite or link to this item: http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/39832

Or use following links to share this resource in social networks: Recommend this item

Title	Вплив часу інтеркалювання C[3]H[8]O[3] на основні параметри шаруватих кристалів InSe
Authors	Фешак, Т.М.
ORCID
Keywords	шаруваті кристали слоистые кристаллы layered crystals напівпровідники полупроводники semiconductors
Type	Conference Papers
Date of Issue	2014
URI	http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/39832
Publisher	Сумський державний університет
License	Copyright not evaluated
Citation	Фешак, Т.М. Вплив часу інтеркалювання C[3]H[8]O[3] на основні параметри шаруватих кристалів InSe [Текст] / Т.М. Фешак // Фізика, електроніка, електротехніка : матеріали та програма науково-технічної конференції, м. Суми, 21-26 квітня 2014 р. / Відп. за вип. С.І. Проценко. - Суми : СумДУ, 2014. - С. 142.
Abstract	Останнім часом зріс інтерес до аналізу впливу впровадження атомів, іонів або молекул у шаруваті напівпровідники класу А[3]В[6]. Зацікавленість процесом інтеркаляції викликана не тільки неповним розуміння її природи, але й багатообіцяючими можливостями практичного застування отриманих на її основі різноманітних інтеркаляційних сполук.
Appears in Collections:	Наукові видання (ЕлІТ)