Дослідження вихідних та температурних характеристикGaAs-фотоперетворювачів

Завальнюк, А.О.; Костіна, Н.О.

Please use this identifier to cite or link to this item: http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/39871

Or use following links to share this resource in social networks: Recommend this item

Title	Дослідження вихідних та температурних характеристикGaAs-фотоперетворювачів
Authors	Завальнюк, А.О. Костіна, Н.О.
ORCID
Keywords	фотоперетворювач фотопреобразователь photoconverters температурні характеристики температурные характеристики temperature characteristics
Type	Conference Papers
Date of Issue	2014
URI	http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/39871
Publisher	Сумський державний університет
License
Citation	Завальнюк, А.О. Дослідження вихідних та температурних характеристикGaAs-фотоперетворювачів [Текст] / А. . Завальнюк, Н.О. Костіна ; наук. кер. М.І. Сліпченко // Фізика, електроніка, електротехніка : матеріали та програма науково-технічної конференції, м. Суми, 21-26 квітня 2014 р. / Відп. за вип. С.І. Проценко. - Суми : СумДУ, 2014. - С. 150.
Abstract	Показано, що у фотовольтаічних германієвих p-n- переходах поряд з дифузійним необхідно враховувати і тунельний механізм протікання струму. У роботі на основі двоекспоненціальної моделі темнових ВАХ досліджено дифузійно-тунельний механізм струмопереносу в одно перехідній Ga фото комірці як базового елементу тандемного фотопе ретворювача (ФП) GaInP/GaInAs/Ge. Проведено дослідження температурних характеристик тунельного та дифузійного струмів германієвої фотокомірки за допомогою різних моделей для визначення ширини забороненої зони. Показано,що температура має більший вплив на щільність дифузійного струму, ніж тунельного. Із використанням спектральної методики проведено моделювання вихідних параметрів германієвого субелемента (СЕ) при варіації його макропараметрів і спектру поглинання.
Appears in Collections:	Наукові видання (ЕлІТ)