Залежність параметрів низькочастотної дисперсії від одновісного тиску у кристалах GaSe

Флюнт, О.Є.

Please use this identifier to cite or link to this item: http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/40691

Or use following links to share this resource in social networks: Recommend this item

Title	Залежність параметрів низькочастотної дисперсії від одновісного тиску у кристалах GaSe
Authors	Флюнт, О.Є.
ORCID
Keywords	низькочастотна дисперсія низкочастотная дисперсия low-frequency dispersion діелектрична проникність диэлектрическая проницаемость permittivity одновісний тиск одноосное давление uniaxial pressure кристали кристаллы crystals
Type	Conference Papers
Date of Issue	2015
URI	http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/40691
Publisher	Сумський державний університет
License	Copyright not evaluated
Citation	Флюнт, О.Є. Залежність параметрів низькочастотної дисперсії від одновісного тиску у кристалах GaSe [Текст] / О.Є. Флюнт // Фізика, електроніка, електротехніка: матеріали та програма науково-технічної конференції, м. Суми, 20-25 квітня 2015 р. / Відп. за вип. С.І. Проценко. — Суми: СумДУ, 2015. — С. 54.
Abstract	В частотному діапазоні діелектричного спектра, в якому домінує низькочастотна дисперсія (НЧД), дійсна та уявна частини відносної діелектричної проникності зростають з пониженням частоти змінного електричного поля відповідно до степеневого закону 1/1-n з малими значеннями n. З пониженням частоти на декілька порядків дійсна та уявна частини діелектричної проникності матеріалу можуть зрости на, приблизно, таке ж саме значення порядків. Не зважаючи на великі значення діелектричної проникності та діелектричних втрат на низьких частотах, детальні дослідження НЧД часто вказують саме на об’ємний характер процесів поляризації.
Appears in Collections:	Наукові видання (ЕлІТ)