Отримання шарів sic шляхом магнетронного розпилення складеної мішені графіт-кремній

Загайко, Інна Володимирівна; Корнющенко, Ганна Сергіївна; Перекрестов, Вячеслав Іванович

Please use this identifier to cite or link to this item: http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/40792

Or use following links to share this resource in social networks: Recommend this item

Title	Отримання шарів sic шляхом магнетронного розпилення складеної мішені графіт-кремній
Authors	Zahaiko, Inna Volodymyrivna Korniushchenko, Hanna Serhiivna Perekrestov, Viacheslav Ivanovych
ORCID	http://orcid.org/0000-0002-2996-1003
Keywords	магнетронне розпилення магнетронное распыление magnetron sputtering карбід кремнію карбид кремния silicon carbide кремній-графітова мішень кремний-графитовая мишень silicon-graphite target
Type	Conference Papers
Date of Issue	2015
URI	http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/40792
Publisher	Сумський державний університет
License
Citation	Загайко, І.В. Отримання шарів sic шляхом магнетронного розпилення складеної мішені графіт-кремній [Текст] / І.В. Загайко, А.С. Корнющенко, В.І. Перекрестов // Фізика, електроніка, електротехніка: матеріали та програма науково-технічної конференції, м. Суми, 20-25 квітня 2015 р. / Відп. за вип. С.І. Проценко. — Суми: СумДУ, 2015. — С. 102.
Abstract	Карбід кремнію давно відомий напівпровідниковий матеріал з унікальним сполученням в ньому фізичних та хімічних властивостей, що робить його перспективним для використання в екстремальних умовах. Відомо, що SiC має більш ніж 230 кристалографічних модифікацій, та найбільш стійкими являються 3С-SiC, 4H-SiC і 6H-SiC. Але при отриманні конденсатів карбіду кремнію виникає ряд проблем, пов’язаних зі слабкою летючістю та високою енергією десорбції складових компонентів.
Appears in Collections:	Наукові видання (ЕлІТ)