Please use this identifier to cite or link to this item: http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/40795
Or use following links to share this resource in social networks: Recommend this item
Title Вплив ефективної маси на спін-контрольоване тунелювання в структурах "феромагнетик/діелектрик/феромагнетик"
Authors Коротун, А.В.
Павлище, Н.І.
ORCID
Keywords мікроелектроніка
микроэлектроника
microelectronics
спінтроніка
спинтроника
spintronics
тунельний бар’єр
туннельный барьер
tunnel barrier
електрони
электроны
electrons
Type Conference Papers
Date of Issue 2015
URI http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/40795
Publisher Сумський державний університет
License
Citation Коротун, А.В. Вплив ефективної маси на спін-контрольоване тунелювання в структурах "феромагнетик/діелектрик/феромагнетик" [Текст] / А.В. Коротун, Н.І. Павлище // Фізика, електроніка, електротехніка: матеріали та програма науково-технічної конференції, м. Суми, 20-25 квітня 2015 р. / Відп. за вип. С.І. Проценко. — Суми: СумДУ, 2015. — С. 84.
Abstract Подальший прогрес у розвитку мікроелектроніки пов’язаний із розвитком спінтроніки, що ґрунтується на процесах перенесення спін-поляризованого струму між елементами електронних пристроїв.
Appears in Collections: Наукові видання (ЕлІТ)

Views

Canada Canada
1
France France
1
Germany Germany
14426
Greece Greece
1862
India India
1
Ireland Ireland
7214
Italy Italy
3
Lithuania Lithuania
1
Netherlands Netherlands
465
Sweden Sweden
1
Ukraine Ukraine
157274
United Kingdom United Kingdom
79103
United States United States
1724478
Unknown Country Unknown Country
157273

Downloads

China China
14428
Germany Germany
2
India India
1
Japan Japan
1
Lithuania Lithuania
1
Ukraine Ukraine
471600
United Kingdom United Kingdom
1
United States United States
1724476
Unknown Country Unknown Country
5

Files

File Size Format Downloads
Korotun_microelectronics.pdf 302.3 kB Adobe PDF 2210515

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.