Вплив ефективної маси на спін-контрольоване тунелювання в структурах "феромагнетик/діелектрик/феромагнетик"

Коротун, А.В.; Павлище, Н.І.

Please use this identifier to cite or link to this item: http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/40795

Or use following links to share this resource in social networks: Recommend this item

Title	Вплив ефективної маси на спін-контрольоване тунелювання в структурах "феромагнетик/діелектрик/феромагнетик"
Authors	Коротун, А.В. Павлище, Н.І.
ORCID
Keywords	мікроелектроніка микроэлектроника microelectronics спінтроніка спинтроника spintronics тунельний бар’єр туннельный барьер tunnel barrier електрони электроны electrons
Type	Conference Papers
Date of Issue	2015
URI	http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/40795
Publisher	Сумський державний університет
License	Copyright not evaluated
Citation	Коротун, А.В. Вплив ефективної маси на спін-контрольоване тунелювання в структурах "феромагнетик/діелектрик/феромагнетик" [Текст] / А.В. Коротун, Н.І. Павлище // Фізика, електроніка, електротехніка: матеріали та програма науково-технічної конференції, м. Суми, 20-25 квітня 2015 р. / Відп. за вип. С.І. Проценко. — Суми: СумДУ, 2015. — С. 84.
Abstract	Подальший прогрес у розвитку мікроелектроніки пов’язаний із розвитком спінтроніки, що ґрунтується на процесах перенесення спін-поляризованого струму між елементами електронних пристроїв.
Appears in Collections:	Наукові видання (ЕлІТ)