Розрахунок спектральних характеристик резонансно-тунельних структур на основі методу S-матриці

Бабіч, А.В.; Коротун, А.В.

Please use this identifier to cite or link to this item: http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/40800

Or use following links to share this resource in social networks: Recommend this item

Title	Розрахунок спектральних характеристик резонансно-тунельних структур на основі методу S-матриці
Authors	Бабіч, А.В. Коротун, А.В.
ORCID
Keywords	резонансно-тунельний діод резонансно-туннельный диод resonant tunneling diodes моделювання моделирование modeling резонансна енергія резонансная энергия resonance energy чисельний розрахунок численный расчет numerical calculation
Type	Conference Papers
Date of Issue	2015
URI	http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/40800
Publisher	Сумський державний університет
License	Copyright not evaluated
Citation	Бабіч, А.В. Розрахунок спектральних характеристик резонансно-тунельних структур на основі методу S-матриці [Текст] / А.В. Бабіч, А.В. Коротун // Фізика, електроніка, електротехніка: матеріали та програма науково-технічної конференції, м. Суми, 20-25 квітня 2015 р. / Відп. за вип. С.І. Проценко. — Суми: СумДУ, 2015. — С. 106.
Abstract	Інтерес до вивчення резонансно-тунельних структур зумовлений їх широким використанням у приладах твердотілої наноелектроніки. Зокрема, було продемонстроване застосування цих структур при створенні резонансно-тунельних діодів (РТД), цифро-аналогових перетворювачів, задаючих генераторів, регістрів зсуву та статичних запам’ятовуючих пристроїв із довільною вибіркою.
Appears in Collections:	Наукові видання (ЕлІТ)