Вплив лазерного опромінення на процес впровадження водню в GaSe

Боледзюк, В.Б.; Пирля, М.М.; Поцілуйко, Р.Л.

Please use this identifier to cite or link to this item: http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/40813

Or use following links to share this resource in social networks: Recommend this item

Title	Вплив лазерного опромінення на процес впровадження водню в GaSe
Authors	Боледзюк, В.Б. Пирля, М.М. Поцілуйко, Р.Л.
ORCID
Keywords	шаруваті кристали слоистые кристаллы layered crystals лазерне опромінення лазерное облучение laser irradiation екситонне поглинання экситонное поглощение exciton absorption
Type	Conference Papers
Date of Issue	2015
URI	http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/40813
Publisher	Сумський державний університет
License	Copyright not evaluated
Citation	Боледзюк, В.Б. Вплив лазерного опромінення на процес впровадження водню в GaSe [Текст] / В.Б. Боледзюк, М.М. Пирля, Р.Л. Поцілуйко; кер. З.Д. Ковалюк // Фізика, електроніка, електротехніка: матеріали та програма науково-технічної конференції, м. Суми, 20-25 квітня 2015 р. / Відп. за вип. С.І. Проценко. — Суми: СумДУ, 2015. — С. 89.
Abstract	З метою підвищення кількості впровадженого водню в шаруваті кристали, були досліджені сполуки впровадження водню на основі попередньо опромінених монокристалів GaSe. Для опромінення зразків використовувався лазер ГОС-301 (довжина хвилі λ=1,06 мкм).
Appears in Collections:	Наукові видання (ЕлІТ)