Формування чутливого елементу датчика магнітного поля на основі Co і Cu

Нагорний, Сергій Сергійович; Нагорный, Сергей Сергеевич; Nahornyi, Serhii Serhiiovych; Манько, А.В.

Please use this identifier to cite or link to this item: http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/40923

Or use following links to share this resource in social networks: Recommend this item

Title	Формування чутливого елементу датчика магнітного поля на основі Co і Cu
Authors	Нагорний, Сергій Сергійович Нагорный, Сергей Сергеевич Nahornyi, Serhii Serhiiovych Манько, А.В.
ORCID
Keywords	магнітне поле магнитное поле magnetic field багатошарові наноструктури многослойные наноструктуры multilayer nanostructures датчик sensor
Type	Conference Papers
Date of Issue	2015
URI	http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/40923
Publisher	Сумський державний університет
License	Copyright not evaluated
Citation	Манько, А.В. Формування чутливого елементу датчика магнітного поля на основі Co і Cu [Текст] / А.В. Манько, С.С. Нагорний; кер. І.В. Чешко // Фізика, електроніка, електротехніка: матеріали та програма науково-технічної конференції, м. Суми, 20-25 квітня 2015 р. / Відп. за вип. С.І. Проценко. — Суми: СумДУ, 2015. — С. 121.
Abstract	Для формування чутливих елементів датчиків магнітного поля було запропоновано використовувати метод пошарової конденсації у вакуумі Co і Cu товщиною окремих шарів від 1 до 20 нм та послідовністю в залежності від функціонального призначення готового чутливого елементу. Для швидкодіючих датчиків цифрового призначення доцільно формувати багатошарові наноструктури спін-вентильного типу «сендвіч» Co(4÷12 нм)/Сu(4÷8 нм)/Со(20 нм)/П (П – підкладка).
Appears in Collections:	Наукові видання (ЕлІТ)