Please use this identifier to cite or link to this item:
http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/40978
Or use following links to share this resource in social networks:
Tweet
Recommend this item
Title | Гомоперехід n-InSe–p-InSe : Cd з ефективністю 2,8 % |
Authors |
Сидор, О.М.
|
ORCID | |
Keywords |
шаруваті кристали слоистые кристаллы layered crystals гетероструктури гетероструктуры heterostructure гомоперехід гомопереход homojunction напівпровідники полупроводники semiconductors |
Type | Conference Papers |
Date of Issue | 2015 |
URI | http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/40978 |
Publisher | Сумський державний університет |
License | Copyright not evaluated |
Citation | Сидор, О.М. Гомоперехід n-InSe–p-InSe : Cd з ефективністю 2,8 % [Текст] / О.М. Сидор // Фізика, електроніка, електротехніка: матеріали та програма науково-технічної конференції, м. Суми, 20-25 квітня 2015 р. / Відп. за вип. С.І. Проценко. — Суми: СумДУ, 2015. — С. 135. |
Abstract |
Шаруватий кристал InSe (група А3В6) є привабливим матеріалом для перетворювачів сонячної енергії внаслідок високої фоточутливості та оптимальної ширини забороненої зони (1,2 еВ). Додатковою перевагою є його висока радіаційна стійкість. |
Appears in Collections: |
Наукові видання (ЕлІТ) |
Views

1

1

1

337696

6008

63588

1

1

1494172

748855

22216651

26361147
Downloads

2

2

63589

1

18072155

748856

18072154

2
Files
File | Size | Format | Downloads |
---|---|---|---|
Sydor_semiconductors.pdf | 284.19 kB | Adobe PDF | 36956761 |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.