Оптичні втрати на відбивання в сонячних елементах на основі гетеропереходів n-CdS(n-ZnS) / p-CZTS

Опанасюк, Анатолій Сергійович; Доброжан, Олександр Анатолійович; Данильченко, П.С.

Please use this identifier to cite or link to this item: http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/40998

Or use following links to share this resource in social networks: Recommend this item

Title	Оптичні втрати на відбивання в сонячних елементах на основі гетеропереходів n-CdS(n-ZnS) / p-CZTS
Authors	Opanasiuk, Anatolii Serhiiovych Dobrozhan, Oleksandr Anatoliiovych Данильченко, П.С.
ORCID	http://orcid.org/0000-0002-1888-3935 http://orcid.org/0000-0001-9238-7596
Keywords	тонкие пленки тонкі плівки thin film сонячні елементи солнечные элементы solar cells гетеропереходи гетеропереходы heterojunctions
Type	Conference Papers
Date of Issue	2015
URI	http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/40998
Publisher	Сумський державний університет
License	Copyright not evaluated
Citation	Данильченко, П.С. Оптичні втрати на відбивання в сонячних елементах на основі гетеропереходів n-CdS(n-ZnS) / p-CZTS [Текст] / П.С. Данильченко, О.А. Доброжан, А.С. Опанасюк // Фізика, електроніка, електротехніка: матеріали та програма науково-технічної конференції, м. Суми, 20-25 квітня 2015 р. / Відп. за вип. С.І. Проценко. — Суми: СумДУ, 2015. — С. 150.
Abstract	На сьогоднішній день у масовому виробництві тонкоплівкових сонячних елементів (СЕ) широко використовуються гетеропереходи (ГП) n-CdS/p-(CuInxGa(1 – x)(S, Se)2, CdTe) із верхнім струмознімальним шаром ІТО. Але, такі недоліки як висока вартість In, Ga та Te, токсичність Cd, дають поштовх до пошуку альтернативних функціональних матеріалів та конструкцій фотоперетворювачів.
Appears in Collections:	Наукові видання (ЕлІТ)