Структурні та субструктурні характеристики плівок Cd[1-x]Zn[x]Te зі змінною концентрацією цинку

Знаменщиков, Ярослав Володимирович; Косяк, Володимир Володимирович; Опанасюк, Анатолій Сергійович; Шергін, Я.; Фочук, П.М.

Please use this identifier to cite or link to this item: http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/41073

Or use following links to share this resource in social networks: Recommend this item

Title	Структурні та субструктурні характеристики плівок Cd[1-x]Zn[x]Te зі змінною концентрацією цинку
Authors	Znamenshchykov, Yaroslav Volodymyrovych Kosiak, Volodymyr Volodymyrovych Opanasiuk, Anatolii Serhiiovych Шергін, Я. Фочук, П.М.
ORCID	http://orcid.org/0000-0002-6866-0414 http://orcid.org/0000-0002-1888-3935
Keywords	тонкие пленки тонкі плівки thin film кристалічна гратка кристаллическая решетка crystal lattice оптоелектроніка оптоэлектроника optoelectronics
Type	Conference Papers
Date of Issue	2015
URI	http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/41073
Publisher	Сумський державний університет
License
Citation	Структурні та субструктурні характеристики плівок Cd[1-x]Zn[x]Te зі змінною концентрацією цинку [Текст] / Я. Шергін, Я.В. Знаменщиков, В.В. Косяк та ін. // Фізика, електроніка, електротехніка: матеріали та програма науково-технічної конференції, м. Суми, 20-25 квітня 2015 р. / Відп. за вип. С.І. Проценко. — Суми: СумДУ, 2015. — С. 167.
Abstract	Тверді розчини кадмій цинк телуриду (Cd1-xZnxTe) широко застосовуються як матеріал сенсорики та оптоелектроніки. Широкий спектр їх використання обумовлений можливістю регулювання ширини забороненої зони (Eg) матеріалу в діапазоні від Eg =1,48 еВ (CdTe) до 2,26 еВ (ZnTe) шляхом зміни концентрації цинку.
Appears in Collections:	Наукові видання (ЕлІТ)