Наноэлектроника: эффект Холла и измерение электрохимических потенциалов в концепции «снизу-вверх»

Кругляк, Ю.А.; Кондратенко, П.А.; Лопаткин, Юрий Михайлович

Please use this identifier to cite or link to this item: http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/41491

Or use following links to share this resource in social networks: Recommend this item

Title	Наноэлектроника: эффект Холла и измерение электрохимических потенциалов в концепции «снизу-вверх»
Other Titles	Наноелектроніка: ефект Хола і вимірювання електрохімічних потенціалів в концепції «знизу-вгору» Nanoelectronics: the Hall Effect and Measurement of Electrochemical Potentials by «Bottom-Up» Approach
Authors	Кругляк, Ю.А. Кондратенко, П.А. Lopatkin, Yurii Mykhailovych
ORCID	http://orcid.org/0000-0001-8913-2816
Keywords	Нанофизика Наноэлектроника Молекулярная электроника Снизу-вверх Эффект Холла Квантовый эффект Холла Химпотенциал Электрохимический потенциал Уровни Ландау Краевые состояния Графен Метод НРФГ Нанофізика Наноелектроніка Молекулярна електроніка Знизу-вгору Ефект Хола Хімпотенціал Електрохімічний потенціал Рівні Ландау Крайові стани Графен Метод НРФГ Nanophysics Nanoelectronics Molecular electronics Bottom-up Hall effect Quantum Hall effect QHE Chemical potential Electrochemical potential Landau levels Edge states Graphene NEGF
Type	Article
Date of Issue	2015
URI	http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/41491
Publisher	Сумский государственный университет
License
Citation	Ю.А. Кругляк, П.А. Кондратенко, Ю.М. Лопаткин, Ж. нано- электрон. физ. 7 № 2, 02031 (2015)
Abstract	В рамках концепції «знизу-вгору» сучасної наноелектроніки розглядаються класичний і квантовий ефекти Хола, методи вимірювання електрохімічних потенціалів, формули Ландауера і Бютекера, вимірювання холівського потенціала, врахування магнітного поля в методі НРФГ, квантовий ефект Хола, рівні Ландау і крайові стани в графені. В рамках концепции «снизу-вверх» современной наноэлектроники рассматриваются классический и квантовый эффекты Холла, методы измерения электрохимических потенциалов, формулы Ландауэра и Бюттекера, измерение холловского потенциала, учет магнитного поля в методе НРФГ, квантовый эффект Холла, уровни Ландау и краевые состояния в графене. Classical and quantum Hall effects, measurement of electrochemical potentials, the Landauer formulas and Buttiker formula, measurement of Hall potential, an account of magnetic field in the NEGF method, quantum Hall effect, Landau method, and edge states in graphene are discussed in the frame of the «bottom-up» approach of modern nanoelectronics.
Appears in Collections:	Журнал нано- та електронної фізики (Journal of nano- and electronic physics)