Моделювання робочих характеристик сонячного елементу зі структурою p+-CuO / p-ZnTe / n-CdSe / n-MoSe2 / Mo

Опанасюк, Анатолій Сергійович; Іващенко, Максим Миколайович; Бурик, І.П.; Мороз, В.А.

Please use this identifier to cite or link to this item: http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/41504

Or use following links to share this resource in social networks: Recommend this item

Title	Моделювання робочих характеристик сонячного елементу зі структурою p+-CuO / p-ZnTe / n-CdSe / n-MoSe2 / Mo
Other Titles	Моделирование рабочих характеристик солнечного элемента со структурой p+-CuO / p-ZnTe / n-CdSe / n-MoSe2 / Mo Working Characteristics Simulation of p+-CuO / p-ZnTe / n-CdSe / n-MoSe2 / Mo Solar Cell
Authors	Opanasiuk, Anatolii Serhiiovych Ivashchenko, Maksym Mykolaiovych Бурик, І.П. Мороз, В.А.
ORCID	http://orcid.org/0000-0002-1888-3935 http://orcid.org/0000-0002-4611-0956
Keywords	Сонячний елемент Гетероперехід р-ZnTe/n-CdSe Моделювання Фактор заповнення Коефіцієнт корисної дії Солнечный элемент Гетеропереход p-ZnTe / n-CdSe Моделирование Фактор заполнения Коэффициент полезного действия Solar cell p-ZnTe / n-CdSe heterojunction Simulation Fill factor Solar cell efficiency
Type	Article
Date of Issue	2015
URI	http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/41504
Publisher	Sumy State University
License
Citation	А.С. Опанасюк, М.М. Іващенко, І.П. Бурик, В.А. Мороз, Ж. нано- електрон. фіз. 7 № 2, 02037 (2015)
Abstract	У роботі проведено моделювання основних експлуатаційних характеристик (світлові вольтамперні характеристики, спектральні залежності квантового виходу) сонячного елементу (СЕ) CuO / ZnTe / CdSe / MoSe2 / Mo. В результаті визначені напруга холостого ходу UOC, густина струму короткого замикання JSC, фактор заповнення FF, коефіцієнт корисної дії приладу в залежності від його конструктивних особливостей (товщини віконного, поглинального та приконтактного шарів) та робочої температури. Встановлені параметри СЕ з максимальною ефективністю. В работе проведено моделирование основных эксплуатационных характеристик (световые вольтамперные характеристики, спектральные зависимости квантового выхода) солнечного элемента (СЭ) CuO / ZnTe / CdSe / MoSe2 / Mo. В результате были определены напряжение холостого хода UOC, плотность тока короткого замыкания JSC, фактор заполнения FF, коэффициент полезного действия прибора в зависимости от его конструктивных особенностей (толщины оконного, поглощающего и приконтактного слоев) и рабочей температуры. Установлены параметры СЭ с максимальной эффективностью. In this paper it was carried out the simulation of the main working characteristics (light I-V curves, quantum yield spectral dependencies) of CuO / ZnTe / CdSe / MoSe2 / Mo solar cell (SC). As a study result there were determined open-circuit voltage UOC, short-circuit current density JSC, fill-factor FF, and the device’s efficiency depending on its constructive features (window, absorber and per-contact layers thickness) and working temperature. There were estimated SC’s parameters with the maximum conversion efficiency of solar energy.
Appears in Collections:	Журнал нано- та електронної фізики (Journal of nano- and electronic physics)