Рухливість електронів в сульфіді кадмію

Abstract

Розглянуто процеси розсіяння електронів на близькодіючому потенціалі обумовленому взаємодією з полярними та неполярними оптичними фононами, п’єзоелектричними та акустичними фононами, центрами статичної деформації, іонізованими та нейтральними домішками в кристалах CdS з концентрацією домішок ≈ 5.6 × 1016÷8.7 × 1017 см – 3. Розраховано температурну залежність рухливості та Холл-фактора електронів в інтервалі 10÷400 K.

Рассмотрены процессы рассеяния электронов на близкодействующем потенциале, обусловленном взаимодействием с полярными и неполярными оптическими фононами, пьезоэлектрическими и акустическими фононами, центрами статической деформации, заряженной и нейтральной примесью в кристаллах CdS с концентрацией примеси ≈ 5.6 × 1016÷8.7 × 1017 cм – 3. Рассчитано температурную зависимость подвижности и Холл фактора электронов в интервале 10÷400 К.

The processes of the electron scattering by the short-range potential caused by the interaction with polar and nonpolar optical phonons, piezoelectric and acoustic phonons, static strain centers, ionized and neutral impurities in CdS crystals with impurity concentration of ≈ 5.6 × 1016÷8.7 × 1017 cm – 3 are considered. The temperature dependences of the electron mobility and Hall factor in the temperature range of 10÷400 K are calculated.