Please use this identifier to cite or link to this item:
http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/42988
Or use following links to share this resource in social networks:
Tweet
Recommend this item
Title | Оптичні властивості плазмохімічних гідрогенізованих Si-C-N плівок |
Other Titles |
Optical Properties of PECVD Si-C-N Films Оптические свойства плазмохимических гидрогенизированных Si-C-N пленок |
Authors |
Козак, А.О.
Іващенко, В.І. Порада, О.К. Іващенко, Л.А. Малахов, В.Я. Томіла, Т.В. |
ORCID | |
Keywords |
PECVD Гексаметилдісилазан Si-C-N плівки FTIR Оптичні спектри PECVD Гексаметилдисилазан Si-C-N пленки FTIR Оптические спектры PECVD Hexamethyldisilazane Si-C-N films FTIR Optical spectra |
Type | Article |
Date of Issue | 2015 |
URI | http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/42988 |
Publisher | Сумський державний університет |
License | Copyright not evaluated |
Citation | А.О. Козак, В.І. Іващенко, О.К. Порада, та ін., Ж. нано- електрон. фіз. 7 № 3, 03040 (2015) |
Abstract |
Досліджено структурні властивості та енергетичну щілину Si-C-N плівок, осаджених плазмохімічним методом з гексаметилдісилазану, в інтервалі температур 200-700 °С. Плівки були отримані на кремнієвих і скляних підкладках, що дало можливість провести рентгеноструктурне дослідження та вивчити спектри інфрачервоного (FTIR) і оптичного пропускання. Представлення широкої смуги FTIR спектрів у вигляді гаусіан свідчить, що основний внесок роблять коливання Si-C, Si-N і Si-O зв'язків. Показано, що з підвищенням температури відбувається інтенсивна ефузія водню з плівок. Енергетична щілина зменшується з 2,3 до 1,6 еВ зі зміною температури підкладки з 200 до 700 °С. Исследованы структурные свойства и энергетическая щель Si-C-N пленок, осажденных плазмохимическим методом из гексаметилдисилазана, в интервале температур 200-700 °С. Пленки были получены на кремниевых и стеклянных подложках, что дало возможность провести рентгеноструктурное исследование и изучить спектры инфракрасного (ИК) и оптического пропускания. Представление широкой полосы ИК спектров в виде гаусиан свидетельствует, что основной вклад вносят колебания Si-C, Si-N и Si-O связей. Показано, что с повышением температуры происходит интенсивная эффузии водорода с пленок. Энергетическая щель уменьшается с 2,3 до 1,6 эВ с изменением температуры подложки с 200 до 700 °С. The structural properties and the energy gap of Si-C-N films deposited by PECVD method from hexamethyldisilazane in the temperature range of 200-700 °C were studied. The films were deposited on silicon and glass substrates that made it possible to perform the XRD analysis and study the absorption infrared (FTIR) and optical spectra. The deconvolution of main band by Gaussians indicates that the main contributions come from the vibrations of Si-C, Si-N and Si-O bonds. It is shown that an intensive effusion of hydrogen from the films occurs with increasing temperature. The band gap decreases from 2.3 to 1.6 eV as substrate temperature is changed from 200 to 700 °C. |
Appears in Collections: |
Наукові видання (ЕлІТ) |
Views

1

1

1

60399843

6530

76739

2

1

1089

2

1

1

7343756

3258815

60399844

131486637
Downloads

545331

1

1

6528

1

1

1

1

1

14687021

1

131486637

23
Files
File | Size | Format | Downloads |
---|---|---|---|
Kozak.pdf | 528.53 kB | Adobe PDF | 146725548 |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.